[发明专利]具有低温度系数的超微功耗参考源电路

权利要求书

1.一种具有低温度系数的超微功耗参考源电路，用于产生电压参考源和电流参考源，在不同的温度条件下提供一致的参考信号，所述电路包括：

一P沟道耗尽型MOS元件，其栅极和源极相连，共同连接至电源端；

一可调有效尺寸的N沟道增强型MOS元件阵列，在该阵列中设置至少一个切断器件，通过控制该切断器件的开合来调整该N沟道增强型MOS元件阵列的有效尺寸，该阵列的漏极端与该P沟道耗尽型MOS元件的漏极连接，该阵列的源极端接地，以该阵列的栅极端和源极端之间的输出电压作为该电压参考源；

一第一电阻，并联在该N沟道增强型MOS元件阵列的栅极端和源极端之间；

一相位补偿器，并联在该N沟道增强型MOS元件阵列的漏极端和源极端，用作反馈控制环路的相位补偿；

一N沟道MOS管放大元件，栅极与该N沟道增强型MOS元件阵列的漏极端连接，源极接地；

一电流镜，输入端连接该N沟道MOS管放大元件的漏极，输出端连接至该N沟道增强型MOS元件阵列的栅极端，以流过该电流镜的输出电流作为该电流参考源。

2.根据权利要求1所述的具有低温度系数的超微功耗参考源电路，其特征在于，所述N沟道增强型MOS元件阵列是由多个N沟道增强型MOS管先以串联的连接方式形成多个支路后再将该些支路并联而成，且该切断器件串联设置在该些支路上。

3.根据权利要求1所述的具有低温度系数的超微功耗参考源电路，其特征在于，所述N沟道增强型MOS元件阵列是由多个N沟道增强型MOS管先以并联的连接方式形成多个支路后再将该些支路串联而成，且该切断器件并联设置在该些支路上。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的具有低温度系数的超微功耗参考源电路，其特征在于，所述切断器件包括熔丝、开关。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的具有低温度系数的超微功耗参考源电路，其特征在于，该些N沟道增强型MOS元件阵列中的MOS管的尺寸相同。

6.根据权利要求1所述的具有低温度系数的超微功耗参考源电路，其特征在于，所述相位补偿器由一电阻和一电容串联连接而成。

7.根据权利要求1所述的具有低温度系数的超微功耗参考源电路，其特征在于，所述电流镜由两个P沟道增强型MOS管组成，该两个MOS管的栅极互连，源极共同连接至该电源端，漏极分别用作输入端和输出端。

8.根据权利要求1所述的具有低温度系数的超微功耗参考源电路，其特征在于，所述参考源电路还包括一预稳压器，抑制电源端电压变化对该电压参考源的影响，该预稳压器连接在该电源端和接地端之间，该预稳压器的输出端连接该P沟道耗尽型MOS元件的源极。

9.根据权利要求8所述的具有低温度系数的超微功耗参考源电路，其特征在于，所述预稳压器进一步包括：

第一N沟道增强型MOS管，其源极接地，栅极和漏极相连；

第二N沟道增强型MOS管，其栅极和漏极相连，源极连接该第一增强型N沟道MOS管的漏极；

第一P沟道耗尽型MOS管，其栅极和源极相连，并连接至该电源端；

第二P沟道耗尽型MOS管，其栅极连接该第一P沟道耗尽型MOS管的栅极，该第二P沟道耗尽型MOS管的源极连接该第一P沟道耗尽型MOS管的漏极；

第三P沟道耗尽型MOS管，其栅极和源极相连，并连接至该电源端，其漏极同该第二P沟道耗尽型MOS管的漏极、该第二N沟道增强型MOS管的漏极连接在一起，作为该预稳压器的输出端。

10.根据权利要求9所述的具有低温度系数的超微功耗参考源电路，其特征在于，所述第三P沟道耗尽型MOS管的尺寸与所述P沟道耗尽型MOS元件的尺寸相同。