[发明专利]高密度等离子体化学气相淀积方法有效
| 申请号： | 200610116845.2 | 申请日： | 2006-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101153386A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 冯明;杨海涛;平延磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/513 | 分类号： | C23C16/513;C23C16/448;C23C16/52;H01L21/205;H01L21/365 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高密度 等离子体 化学 气相淀积 方法 | ||
1.一种高密度等离子体化学气相淀积方法，通过向反应室中通入淀积气体进行淀积反应；所述淀积气体包括第一反应气体、第二反应气体、氦气及氢气，所述第二反应气体及氦气在淀积反应开始之前已通入所述反应室中；其特征在于：所述氢气在所述第一反应气体之后通入反应室。
2.根据权利要求1所述的高密度等离子体化学气相淀积方法，其特征在于：所述第一反应气体包含硅烷、硅烷与磷化氢组成的混合气体或硅烷与氟化硅组成的混合气体；所述第二反应气体包含臭氧、氧气、一氧化二氮、二氧化碳等气体材料中的一种或其组合。
3.根据权利要求1所述的高密度等离子体化学气相淀积方法，其特征在于：所述反应室内氦气和氢气的浓度比范围为1∶2～2∶1。
4.根据权利要求1或3所述的高密度等离子体化学气相淀积方法，其特征在于：所述反应室内氦气和氢气的浓度比为4∶3。
5.根据权利要求1所述的高密度等离子体化学气相淀积方法，其特征在于：所述氢气与所述第一反应气体通入反应室的间隔时间小于或等于所述淀积反应持续时间的十分之一。
6.根据权利要求1或5所述的高密度等离子体化学气相淀积方法，其特征在于：所述氢气与所述第一反应气体通入反应室的间隔时间小于或等于5秒。
7.根据权利要求6所述的高密度等离子体化学气相淀积方法，其特征在于：所述氢气与所述第一反应气体同时通入反应室。
8.根据权利要求6所述的高密度等离子体化学气相淀积方法，其特征在于：所述氢气在通入反应室后的初始阶段流量逐步增加。
9.根据权利要求8所述的高密度等离子体化学气相淀积方法，其特征在于：所述氢气流量逐步增加过程持续的时间小于或等于所述淀积反应持续时间的十分之一。
10.根据权利要求9所述的高密度等离子体化学气相淀积方法，其特征在于：所述氢气流量逐步增加过程持续的时间小于或等于3秒。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610116845.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种药物组合物及其制备方法和用途
- 下一篇：一种风道可控式复合燃具
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
