[发明专利]返工处理方法有效
| 申请号： | 200610116882.3 | 申请日： | 2006-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101154047A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 李建茹;宋铭峰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/42;G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 返工 处理 方法 | ||
1.一种返工处理方法，其中，所述光致抗蚀剂层位于介质层表面；所述返工处理方法包括：
确定需返工的光致抗蚀剂层；
灰化处理需返工的光致抗蚀剂层；
进行介质层表面剥除步骤；
重新涂覆并图案化光致抗蚀剂层；
对光致抗蚀剂层进行检测；
对检测不合格的光致抗蚀剂层重复上述步骤；
获得检测合格的光致抗蚀剂层。
2.根据权利要求1所述的返工处理方法，其特征在于：所述光致抗蚀剂层与所述介质层之间存在一抗反射涂层。
3.根据权利要求1或2所述的返工处理方法，其特征在于：所述去除所述光致抗蚀剂层步骤中包含去除所述抗反射涂层的步骤。
4.根据权利要求1或2所述的返工处理方法，其特征在于：所述涂覆光致抗蚀剂层步骤包含预先涂覆所述抗反射涂层的步骤。
5.根据权利要求1所述的返工处理方法，其特征在于：所述介质层材料包括黑钻石、氟硅玻璃、磷硅玻璃、硼硅玻璃、硼磷硅玻璃、氮化硅、有机聚合物材料如聚酰亚胺、有机硅氧烷聚合物、聚亚芳基醚、碳掺杂硅酸盐玻璃、倍半硅氧烷玻璃、氟化或非氟化硅酸盐玻璃、金刚石状无定形碳以及芳族烃聚合物等材料中的一种或其组合。
6.根据权利要求2所述的返工处理方法，其特征在于：所述抗反射涂层材料包括氮氧化硅、碳氧化硅以及深紫外光吸收氧化物等材料中的一种或其组合。
7.根据权利要求1所述的返工处理方法，其特征在于：所述刻蚀气体包括四氟化碳、三氟化氢碳或二氟化氢碳等系列气体材料中的一种或其组合。
8.根据权利要求1或7所述的返工处理方法，其特征在于：所述刻蚀部分介质层的厚度为1～10纳米。
9.根据权利要求8所述的返工处理方法，其特征在于：所述刻蚀部分介质层的过程持续时间为10～20秒。
10.根据权利要求9所述的返工处理方法，其特征在于：所述刻蚀射频功率为400～500瓦。
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