[发明专利]硅基液晶显示装置反射镜面的制作方法有效
| 申请号： | 200610116885.7 | 申请日： | 2006-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101153969A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 蒲贤勇;傅静 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/133 | 分类号： | G02F1/133;G03F7/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 液晶 显示装置 反射 制作方法 | ||
1.一种硅基液晶显示装置反射镜面的制作方法：首先提供包含金属层的硅基液晶背板，所述金属层位于硅基底上，其特征在于，还包括下列步骤：
在金属层上形成氧化铝层；
在氧化铝层表面沉积抗反射层；
在抗反射层上形成图案化光阻层；
以光阻层为掩膜，蚀刻穿透抗反射层、氧化铝层以及金属层，露出硅基底；
去除光阻层和抗反射层；
在沟槽内及氧化铝层表面沉积绝缘介质层；
平坦化绝缘介质层；
去除金属层上的绝缘介质层及氧化铝层，形成反射镜面。
2.根据权利要求1所述的硅基液晶显示装置反射镜面的制作方法，其特征在于：用等离子体氧化在金属层上形成氧化铝层。
3.根据权利要求2所述的硅基液晶显示装置反射镜面的制作方法，其特征在于：等离子体氧化的温度为240℃至280℃。
4.根据权利要求2所述的硅基液晶显示装置反射镜面的制作方法，其特征在于：所述氧化铝层的厚度为20埃至50埃。
5.一种硅基液晶显示装置反射镜面的制作方法：首先提供包含金属层的硅基液晶背板，所述金属层位于硅基底上，其特征在于，还包括下列步骤：
在金属层上形成氧化铝层；
在氧化铝层上沉积硅氧化物层；
在硅氧化物层表面沉积抗反射层；
在抗反射层上形成图案化光阻层；
以光阻层为掩膜，蚀刻穿透抗反射层、硅氧化物层、氧化铝层以及金属层露出硅基底；
去除光阻层和抗反射层；
在沟槽内及硅氧化物层表面沉积绝缘介质层；
平坦化绝缘介质层；
去除金属层上的绝缘介质层、硅氧化物层及氧化铝层，形成反射镜面。
6.根据权利要求5所述的硅基液晶显示装置反射镜面的制作方法，其特征在于：用等离子体氧化在金属层上形成氧化铝层。
7.根据权利要求6所述的硅基液晶显示装置反射镜面的制作方法，其特征在于：等离子体氧化的温度为240℃至280℃。
8.根据权利要求6所述的硅基液晶显示装置反射镜面的制作方法，其特征在于：所述氧化铝层的厚度为20埃至50埃。
9.根据权利要求5所述的硅基液晶显示装置反射镜面的制作方法，其特征在于：用化学气相沉积法在氧化铝层上形成硅氧化物层。
10.根据权利要求13所述的硅基液晶显示装置反射镜面的制作方法，其特征在于：硅氧化物层的材料为正硅酸乙酯，厚度为450埃至550埃。
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