[发明专利]改善高压栅氧均匀性的预非晶化离子注入工艺

权利要求书

1.一种改善高压栅氧均匀性的预非晶化离子注入工艺，包括步骤：

(1)高压N阱和P阱的光刻、离子注入和退火；

(2)N型和P型扩散区的光刻、离子注入和退火；

(3)在整片硅片上进行衬垫氧化硅和氮化硅的生长和淀积；

(4)对浅沟隔离槽进行光刻，然后刻蚀掉该区域的氮化硅、氧化硅和硅到所需要的厚度；

(5)生长浅沟隔离槽衬垫氧化膜；

(6)填入浅沟隔离槽氧化硅，并利用化学机械抛光实现平坦化；

(7)去除所述氮化硅，并腐蚀所述衬垫氧化硅直至有源硅上面的氧化层全部去净；

(8)氧化高压管栅氧；

其特征在于，在所述步骤(5)和(6)之间还包括如下步骤：

非晶化硅离子注入。

2.根据权利要求1所述的改善高压栅氧均匀性的预非晶化离子注入工艺，其特征在于，采用回旋四次的注入方法进行所述非晶化硅离子注入。

3.根据权利要求1或2所述的改善高压栅氧均匀性的预非晶化离子注入工艺，其特征在于，所述非晶化硅离子注入的注入角度范围为30°～60°，剂量范围为3e14～8e14cm-2，能量范围为40keV～80keV。