[发明专利]栅极侧壁层的形成方法

权利要求书

1.一种栅极侧壁层的形成方法，其特征在于，包括步骤：

提供表面具有至少一个栅极的衬底；

在所述衬底上形成第一介质层；

在所述第一介质层上形成第二介质层；

刻蚀所述第一和第二介质层；

对所述衬底进行湿法腐蚀处理，形成侧壁层。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述第一介质层为氧化硅层，第二介质层为氮化硅层或氮氧化硅层。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：形成第一介质层之前，先对所述衬底进行轻掺杂处理。

4.如权利要求1或3所述的形成方法，其特征在于：在形成所述第一介质层与所述第二介质层步骤之间，对所述衬底进行快速热退火处理。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一或第二介质层，包括步骤：

将所述衬底放入反应室内；

对所述反应室进行抽真空处理，以达到工作压力；

加热所述反应室；

向所述反应室内通入第一反应源和第二反应源。

6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于：所述工作压力在0.05至3Torr之间。

7.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于：形成第一介质层时所述的加热温度在400至600℃之间；形成第二介质层时所述的加热温度在500至600℃之间。

8.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于：形成所述第一介质层时的第一反应源为双叔丁基氨基硅烷，第二反应源为氧气、臭氧或水蒸汽。

9.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于：形成所述第二介质层时的第一反应源为双叔丁基氨基硅烷，第二反应源为氨气。

10.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于：所述第一反应源的流量在25sccm到500sccm之间，所述第二反应源的流量在50sccm到1000sccm。

11.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括步骤：

在衬底上形成至少一个栅极；

在所述衬底和栅极上形成第一介质层；

在所述第一介质层上形成第二介质层；

刻蚀所述第一和第二介质层；

对所述衬底进行湿法腐蚀处理，形成侧壁层；

以所述栅极和所述侧壁层为掩膜进行离子注入，形成源/漏区。

12.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于：形成第一介质层之前，先对所述衬底进行轻掺杂处理。

13.如权利要求11或12所述的形成方法，其特征在于：在形成所述第一介质层与所述第二介质层步骤之间，对所述衬底进行快速热退火处理。

14.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于：所述形成第一介质层，是利用双叔丁基氨基硅烷和氧气，或者双叔丁基氨基硅烷和臭氧，或者双叔丁基氨基硅烷和水蒸汽为反应源，通过化气相沉积方法实现的。

15.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于：所述形成第二介质层，是利用双叔丁基氨基硅烷和氨气；或者利用双叔丁基氨基硅烷、氧气和氨气混合为反应源，通过化气相沉积方法实现的。

16.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于：所述侧壁层位于所述栅极的侧壁上。