[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件，尤其涉及解决高压工序中隔离漏电的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET：Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor)及其制作方法。

背景技术

目前已有技术中，如图4和图4俯视图的图5所示，公开的金属氧化物半导体场效应晶体管(下文称为MOS场效应晶体管)组成一般包含介质层区、场氧化隔离区、主要由源区和漏区组成的有源区、阱区、金属布线层和钨塞，其中场氧化隔离区使有源区之间隔离，场氧化隔离区下端有阱区而向上依次有介质层区和金属布线层。

该结构存在的问题是：防止漏电的场氧化隔离区为提高市场竞争力而缩小单元面积将其保留得较薄，阈值电压偏低，容易引起隔离漏电；尤其在高压工序中，例如加在金属布线层高压而引起寄生场效应，导致MOS场效应晶体管导通；如果场氧化隔离区保留较厚，虽然提高了阈值电压但由于工序简化和兼容性的需要，MOS场效应晶体管沟道掺杂工序难以优化，造成阈值电压偏低，容易引起隔离漏电，不能满足器件的需要。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种能方便且有效地解决高压工序中隔离漏电的MOS场效应晶体管及其制作方法。

为了达到上述目的，本发明的MOS场效应晶体管，包含介质层区、场氧化隔离区、主要由源区和漏区组成的有源区、阱区、金属布线、以及钨塞，其中场氧化隔离区使有源区之间隔离，场氧化隔离区下端有阱区而向上依次有介质层区和金属布线，本发明的特点在于，在金属布线和场氧化隔离区之间设置多晶硅栅层；将源区与多晶硅栅相连并且接地。

根据本发明的MOS场效应晶体管，在金属布线层和场氧化隔离区之间保留多晶硅栅层，同时还将多晶硅栅与源区相连并且接地，形成多晶硅栅屏蔽，因而提高了阈值电压，减少了隔离漏电现象，满足了器件的需要。

上述本发明的MOS场效应晶体管中，也可将源区与多晶硅栅相连并且接到某固定电压，形成多晶硅栅屏蔽，因而提高了阈值电压，减少了隔离漏电现象，满足了器件的需要。

本发明的MOS场效应晶体管制作方法，依次包含氧化隔离区形成、阱形成、栅氧化层形成、多晶硅栅层形成、多晶硅栅图形的形成、源漏区形成、钛或钴硅化物形成、金属和硅栅间介质层形成、接触孔形成和金属布线形成工序，本发明的特点是，多晶硅栅图形的形成工序中，设计多晶硅栅版图时，在金属布线与场氧化隔离区之间保留多晶硅栅层；接触孔形成工序中，设计接触孔版图时，将源区与多晶硅栅层相连并且接地。

上述本发明的MOS场效应晶体管制作方法中，接触孔形成工序中，设计接触孔版图时，将源区与多晶硅栅层相连并且接到某固定电压。

根据本发明的MOS场效应晶体管制作方法，不需要增加特别的光刻板工序和工序步骤变动，只需多晶硅栅版图设计时在金属布线层和场氧化隔离区之间保留多晶硅栅层；接触孔版图设计时将源区和多晶硅栅层相连并且接地或接到某固定电压，就能形成建立多晶硅栅屏蔽的MOS场效应晶体管，提高其阈值电压，显著改善漏电隔离效果。

总之，本发明的MOS场效应晶体管采用与源区相连的多晶硅栅层，可在工序过程中减少场氧化隔离区的消耗，从而保留了较厚的场氧化隔离层，提高了MOS场效应晶体管的阈值电压。可屏蔽多晶硅栅工序对MOS场效应晶体管沟道的影响。由于多晶硅栅层与源区相连接，具有相同电位，能有效屏蔽或减小来自金属布线的高压电场对沟道的影响，显著改善MOS场效应晶体管的隔离效果。而且，能以与现有工序实质上兼容的方式，方便且有效地取得上述效果，解决MOS场效应晶体管在高压工序中隔离漏电的课题。

附图说明

图1是本发明结构示意正视图。

图2是图1的俯视图。

图3是本发明工序流程示意图。

图4是已有技术MOS场效应晶体管结构示意正视图。

图5是图4的俯视图。

附图中：1-多晶硅栅层  2-介质层区  3-场氧化隔离区4-源区  5-漏区  6-阱区  7-金属布线  8-钨塞

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步详细说明。

实施方式1