[发明专利]一种提高Ⅲ－Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法无效
| 申请号： | 200610117154.4 | 申请日： | 2006-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN1933263A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 吴惠桢;曹萌;劳燕锋;黄占超;刘成;谢正生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 应变 多量 发光强度 方法 | ||
【说明书】：
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