[发明专利]防止高压器件工艺制程中产生电荷的方法有效
| 申请号： | 200610117167.1 | 申请日： | 2006-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN101165851A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 陆涵蔚;李建文;李健;刘春玲 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/268;H01L21/3105;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防止 高压 器件 工艺 制程中 产生 电荷 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种防止高压器件工艺制程中产生电荷的方法，包括钝化层刻蚀和聚酰亚胺涂层工艺步骤，其特征在于：在钝化层刻蚀步骤完成后，先进行紫外线烘干，然后再进行聚酰亚胺涂层工艺步骤。
2.根据权利要求1所述的防止高压器件工艺制程中产生电荷的方法，其特征在于：所述紫外线烘干的装置为，
波长：220-320nm强度：＞650nw/cm2；烘干时间为80秒到10分钟；温度为：180℃。
3.根据权利要求1所述的防止高压器件工艺制程中产生电荷的方法，其特征在于：所述紫外线烘干的装置为，
波长：波长：254nm 强度：25nw/cm2；烘干时间为12到60分钟；温度为：25℃。
4.根据权利要求2所述的防止高压器件工艺制程中产生电荷的方法，其特征在于：所述烘干时间为：80秒。
5.根据权利要求2所述的防止高压器件工艺制程中产生电荷的方法，其特征在于：所述烘干时间为：30分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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