[发明专利]横向PNP型三极管结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200610117428.X | 申请日： | 2006-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN101170128A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 刘俊文 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 横向 pnp 三极管 结构 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种横向PNP型三极管，包括P型衬底、P型衬底上的N型埋层、N型外延层中的P型发射区、P型的集电区和N型基区，N型基区和P型集电区之间有场氧隔离区，其特征是，在P型发射区和N型埋层之间设置二氧化硅埋层。
2.一种如权利要求1所述的横向PNP型三极管的制造方法，其特征是，包括：
制作所述P型衬底的步骤；
在P型衬底上离子注入锑离子形成所述N型埋层的步骤；
将N型埋层外延生长一层掺杂磷的所述N型外延层的步骤；
在N型外延层中局部注入氧离子的步骤，注入氧离子的位置在N型埋层和将要形成的所述P型发射区之间；
通过离子注入，在N型外延层中分别形成所述P型的集电区、所述N型的基区和P型的发射区的步骤；
通过氧化工艺在P型集电区和N型基区之间形成所述场氧隔离区的步骤；
电极的引出和连接的步骤。
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