[发明专利]一种新型集成电路测试结构及其使用方法

权利要求书

1.一种集成电路测试结构，包含NMOS晶体管、第一压焊块和第二压焊块两个压焊块、二极管以及保险丝，其特征在于，上述NMOS晶体管的栅极连接到上述第二压焊块上，该第二压焊块通过保险丝与互连线与第一压焊块相连，上述的二极管一端接衬底，另一端接在第一压焊块与保险丝之间的互连线上。

2.如权利要求1所述的集成电路测试结构，其特征在于上述的保险丝是通过减少位于第一压焊块与二极管之间的一段互连线的宽度而形成。

3.一种集成电路测试结构，包含NMOS晶体管、第一压焊块和第二压焊块两个压焊块、二极管以及保险丝，其特征在于保险丝在在该测试结构中也起互连线作用，且两边连接该保险丝的导线的宽度比该保险丝的宽度大。

4.如权利要求1或者权利要求2所述的集成电路测试结构，其特征在于上述的二极管是通过形成一个N型扩散区而与P型衬底形成PN结构成。

5.一种如权利要求4所述的集成电路测试结构，其特征在于形成上述二极管N型扩散区的工艺条件与形成源漏的工艺条件相同。

6.一种使用如权利要求1～2中任意一项的所述集成电路测试结构的方法，其特征在于在不需要在栅极施加负电压时，直接将需要施加在栅极的电压施加在第一压焊块上，在需要在栅极施加负电压时，先将保险丝熔断，再将负电压施加在第二压焊块上。

7.一种使用如权利要求4或者权利要求5中所述集成电路测试结构的方法，其特征在于在不需要在栅极施加负电压时，直接将需要施加在栅极的电压施加在第一压焊块上，在需要在栅极施加负电压时，先将保险丝熔断，再将负电压施加在第二压焊块上。

8.一种如权利要求6或者权利要求7所述的方法，其特征在于熔断保险丝的方法是通过在第一压焊块与第二压焊块之间施加高压完成。

9.一种如权利要求8所述的方法，其特征在于施加电压时，将第一压焊块连接到正电压上，并将第二压焊块接地。