[发明专利]抗电致迁移的导电装置无效
| 申请号： | 200610118153.1 | 申请日： | 2006-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN101179064A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 张文杰 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 抗电致 迁移 导电 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种抗电致迁移的导电装置，包括：
一铜铝金属层；
一导孔柱，电性连接该铜铝金属层与一导电金属层；其特征在于：还包括一位于该铜铝金属层的表面且介于该铜铝金属层与该导孔柱之间用以降低该导孔柱终端结构的电致迁移效应的抗电致迁移金属层。
2.根据权利要求1所述的抗电致迁移的导电装置，其特征在于：该抗电致迁移金属层系为一氮化钛/钛金属层者。
3.根据权利要求2所述的抗电致迁移的导电装置，其特征在于：该氮化钛层具有低电阻率。
4.根据权利要求2所述的抗电致迁移的导电装置，其特征在于：该钛金属层具有高电阻率。
5.根据权利要求1所述的抗电致迁移的导电装置，其特征在于：还包括一位于该铜铝金属层与该导电金属层之间的介电层，且将该导孔柱包覆于其中。
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