[发明专利]高压PMOS晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种高压PMOS晶体管的制造方法，包括：

(1)进行高压N阱和P型埋沟离子注入；

(2)进行轻掺杂的P型扩散区离子注入；

(3)进行栅氧化层的淀积；

(4)进行N型掺杂的多晶硅栅淀积；

(5)进行多晶硅栅和栅氧化层刻蚀；

(6)进行自对准的轻掺杂源离子注入；

(7)进行侧墙的淀积与刻蚀；

其特征在于，还包括：

(8)使用光刻胶遮盖N型多晶硅栅和P型扩散区，进行源漏离子注入形成P型多晶硅栅和源漏极；

(9)去除光刻胶。

2.根据权利要求1所述的高压PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，根据要求获得的PMOS晶体管特性的不同，可在执行步骤(8)时，应在与所述N型多晶硅栅的长度之比在20％～50％的范围内调节所述P型多晶硅栅的长度。

3.一种高压PMOS晶体管，包括：高压N阱衬底；在所述衬底上形成有栅氧化层；而在所述衬底内形成有P型源区、P型漏区、P型扩散区和P型埋沟，所述P型扩散区被形成在P型漏区、P型埋沟和栅氧化层之间；在所述栅氧化层上形成有多晶硅栅，其特征在于，所述多晶硅栅由P型多晶硅栅和N型多晶硅栅组成，其中所述P型多晶硅栅被形成在接近P型源区的方向上。

4.根据权利要求3所述的高压PMOS晶体管，其特征在于，所述P型多晶硅栅与N型多晶硅栅的长度之比在范围20％～50％之内。