[发明专利]网格状分立的发光二极管外延片及其制造方法

权利要求书

1.网格状分立的发光二极管外延片，所述外延片包括：

一外延衬底；

一网格状掩模层，设置在所述外延衬底上；

一外延层，设置在所述外延衬底上的所述网格状掩模层之间。

2.根据权利要求1所述的网格状分立的发光二极管外延片，其特征在于，所述外延层为氮化镓层。

3.根据权利要求2所述的网格状分立的发光二极管外延片，其特征在于，所述掩膜层的厚度范围在5×10²～5×10⁴埃。

4.根据权利要求2或3所述的网格状分立的发光二极管外延片，其特征在于，所述网格状掩模层的网格包括正方形、长方形、菱形和正六边形。

5.根据权利要求4所述的网格状分立的发光二极管外延片，其特征在于，所述的网格状掩膜层的材料包括二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金属钨。

6.网格状分立的发光二极管外延片的制造方法，包括：

步骤一，在外延衬底上沉积一掩膜层；

步骤二，在所述掩膜层上制作一呈网格状光刻胶层；

步骤三，去除所述网格状光刻胶层的网格间的掩模层；

步骤四，去除所述网格状光刻层，留下掩膜层；

步骤五，在暴露出的所述外延衬底上沉积一外延层。

7.根据权利要求6所述的网格状分立的发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，

所述外延层为氮化镓层。

8.根据权利要求7所述的网格状分立的发光二极管外延片，其特征在于，所述掩膜层的厚度范围在5×10²～5×10⁴埃。

9.根据权利要求7或8所述的网格状分立的发光二极管外延片，其特征在于，所述网格状掩模层的网格包括正方形、长方形、菱形和正六边形。

10.根据权利要求9所述的网格状分立的发光二极管外延片，其特征在于，所述的网格状掩膜层的材料包括二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金属钨。