[发明专利]测量氧化硅层－氮化硅层－氧化硅层电学厚度的方法无效
| 申请号： | 200610118810.2 | 申请日： | 2006-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101192553A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 范建国;郭慧;战玉讯 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 测量 氧化 氮化 电学 厚度 方法 | ||
1.一种测量氧化硅层-氮化硅层-氧化硅层电学厚度的方法，包括下列步骤：
在硅基片上依次形成第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层；
在第二氧化硅层上洒上静电荷；
测量第二氧化硅层表面静电荷的电压；
将电压换算成电学厚度。
2.根据权利要求1所述的测量氧化硅层-氮化硅层-氧化硅层电学厚度的方法，其特征在于：洒上静电荷的量为5E10ea/cm2至15E10ea/cm2。
3.根据权利要求2所述的测量氧化硅层-氮化硅层-氧化硅层电学厚度的方法，其特征在于：用线动方式在第二氧化硅层上洒静电荷。
4.根据权利要求3所述的测量氧化硅层-氮化硅层-氧化硅层电学厚度的方法，其特征在于：所述线动方式为在金属线两端加高压电离空气产生电荷。
5.根据权利要求3所述的测量氧化硅层-氮化硅层-氧化硅层电学厚度的方法，其特征在于：所用的测量仪器为载流子活性测量仪SDI。
6.根据权利要求1所述的测量氧化硅层-氮化硅层-氧化硅层电学厚度的方法，其特征在于：先将电压换算为电容，然后再将电容换算为电学厚度。
7.根据权利要求6所述的测量氧化硅层-氮化硅层-氧化硅层电学厚度的方法，其特征在于：电容等于介电常数乘以静电荷电量除以静电荷电压。
8.根据权利要求7所述的测量氧化硅层-氮化硅层-氧化硅层电学厚度的方法，其特征在于：电学厚度等于介电常数乘以第二氧化硅层的表面积除以电容。
9.根据权利要求1所述的测量氧化硅层-氮化硅层-氧化硅层电学厚度的方法，其特征在于：用化学气相沉积法形成第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层。
10.根据权利要求9所述的测量氧化硅层-氮化硅层-氧化硅层电学厚度的方法，其特征在于：所述第一氧化硅层的厚度为60埃至80埃，氮化硅层的厚度为50埃至70埃，第二氧化硅层的厚度为40埃至60埃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610118810.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
