[发明专利]接触孔的填充方法无效
| 申请号： | 200610118813.6 | 申请日： | 2006-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101192560A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 周维 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触 填充 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种接触孔的填充方法，包括步骤：
提供一表面具有接触孔开口的硅衬底；
在所述接触孔开口内形成粘附层；
对所述硅衬底进行快速热退火处理；
在所述粘附层上形成阻挡层；
在所述接触孔开口内的所述阻挡层上填充金属。
2.如权利要求1所述的填充方法，其特征在于：所述快速热退火的处理温度在800到900℃之间。
3.如权利要求1所述的填充方法，其特征在于：在所述快速热退火过程中通入氮气、氩气或氦气中的任一种。
4.如权利要求3所述的填充方法，其特征在于：所述氮气、氩气或氦气的流量在1000到10000sccm之间。
5.如权利要求1所述的填充方法，其特征在于：所述快速热退火的处理时间在5到60秒之间。
6.如权利要求1所述的填充方法，其特征在于：所述粘附层为钛层，所述阻挡层为氮化钛层。
7.如权利要求6所述的填充方法，其特征在于：所述钛层厚度在30到200之间。
8.如权利要求6所述的填充方法，其特征在于：所述氮化钛层厚度在50到200之间。
9.如权利要求1所述的填充方法，其特征在于：所述粘附层是利用化学气相沉积方法形成的。
10.如权利要求1所述的填充方法，其特征在于：所述金属为钨。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
