[发明专利]半导体器件金属接触粘接层的制造方法无效
| 申请号： | 200610118836.7 | 申请日： | 2006-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101192562A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 杨瑞鹏;胡宇慧 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 金属 接触 粘接层 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件金属接触粘接层的制造方法，包括：
在半导体衬底上形成金属互连基底；
湿清洗所述金属互连基底；
在所述清洗后的金属互连基底上沉积粘接基层；
在所述粘接基层上沉积阻挡层；
进行第一退火过程，以形成第一金属硅化物粘接层；
去除所述粘接基层和阻挡层；
进行第二退火过程，以形成第二金属硅化物粘接层。
2.根据权利要求1所述的半导体器件金属接触粘接层的制造方法，其特征在于：所述清洗剂为氢氟酸溶液。
3.根据权利要求2所述的半导体器件金属接触粘接层的制造方法，其特征在于：所述清洗剂的质量百分比浓度小于或等于2％。
4.根据权利要求3所述的半导体器件金属接触粘接层的制造方法，其特征在于：所述湿清洗过程持续时间范围为10～100秒。
5.根据权利要求1或4所述的半导体器件金属接触粘接层的制造方法，其特征在于：所述湿清洗步骤与沉积粘接基层步骤间的时间间隔小于或等于30分钟。
6.根据权利要求5所述的半导体器件金属接触粘接层的制造方法，其特征在于：所述湿清洗步骤与沉积粘接基层步骤间的时间间隔小于或等于15分钟。
7.根据权利要求1所述的半导体器件金属接触粘接层的制造方法，其特征在于：所述粘接基层材料包含镍、铬、钛、钛钨、钽或镍铂中的一种或其组合。
8.根据权利要求1所述的半导体器件金属接触粘接层的制造方法，其特征在于：所述抗氧化阻挡层材料包含但不限于氮化钛或氮化钽中的一种或其组合。
9.根据权利要求1所述的半导体器件金属接触粘接层的制造方法，其特征在于：所述第一退火过程温度范围为250～350摄氏度，所述第一退火过程持续时间范围为10～30秒。
10.根据权利要求1所述的半导体器件金属接触粘接层的制造方法，其特征在于：所述第二退火过程温度范围为350～500摄氏度，所述第二退火过程持续时间范围为10～30秒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
