[发明专利]避免金属布线制程中晶圆边界剥离的方法无效
| 申请号： | 200610118842.2 | 申请日： | 2006-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101192563A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 张可钢;陈宏璘;龙吟;倪棋梁;陈文磊;上官彦波;朱晓荣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 避免 金属 布线 制程中晶圆 边界 剥离 方法 | ||
1.一种避免金属布线制程中晶圆边界剥离的方法，其特征在于，在晶圆边界金属布线结构的扩散阻挡层与半导体衬底之间形成缓冲层。
2.根据权利要求1所述避免金属布线制程中晶圆边界剥离的方法，其特征在于，所述缓冲层为绝缘介质层或多晶硅层。
3.根据权利要求2所述避免金属布线制程中晶圆边界剥离的方法，其特征在于，所述绝缘介质层为氧化硅。
4.根据权利要求1至3中任一项所述避免金属布线制程中晶圆边界剥离的方法，其特征在于，所述缓冲层是在形成浅沟槽隔离结构的工艺中形成的。
5.根据权利要求4所述避免金属布线制程中晶圆边界剥离的方法，其特征在于，形成所述缓冲层的工艺包括：
提供具有零标记的半导体衬底，所述半导体衬底具有边界区域以及主体区域；
在半导体衬底上依次形成衬氧化层、腐蚀阻挡层；
依次刻蚀腐蚀阻挡层、衬氧化层以及半导体衬底在半导体衬底边界区域形成开口，在主体区域形成隔离沟槽；
沉积隔离氧化层填充半导体衬底边界区域的开口、隔离沟槽以及零标记；
平坦化隔离氧化层，直至曝露腐蚀阻挡层；
去除零标记内的隔离氧化层。
6.根据权利要求5所述避免金属布线制程中晶圆边界剥离的方法，其特征在于，所述边界区域的开口宽度为1～1.5mm。
7.根据权利要求5所述避免金属布线制程中晶圆边界剥离的方法，其特征在于，所述衬氧化层材料为氧化硅，腐蚀阻挡层为氮化硅。
8.根据权利要求5所述避免金属布线制程中晶圆边界剥离的方法，其特征在于，所属隔离氧化层为氧化硅。
9.根据权利要求5所述避免金属布线制程中晶圆边界剥离的方法，其特征在于，平坦化隔离氧化层的工艺为化学机械抛光法。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610118842.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种治疗疱疹性口腔炎的散剂药物
- 下一篇：具有处理用紧固装置的吸收制品
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
