[发明专利]半导体器件的着片多晶硅接触结构及栅极结构的制造方法

权利要求书

1.一种用于形成集成电路器件的方法，该方法包括：

提供包含表面区域的半导体衬底；

形成覆盖在所述表面区域上方的多晶硅层；

形成覆盖在所述多晶硅层上方的覆盖层；

利用原子层沉积形成覆盖在所述多晶硅层上方的Al₂O₃层，以形成包括所述多晶硅层、覆盖层和Al₂O₃层的夹层结构；

图案化所述夹层层，以形成多个栅极结构，所述栅极结构中的每一个包括所述多晶硅层的一部分、所述覆盖层的一部分和所述Al₂O₃层的一部分；

形成覆盖在所述多个栅极结构上方的具有上表面的层间电介质材料；

图案化所述层间电介质材料，以在所述层间电介质材料的一部分中形成开口，来暴露出所述栅极结构中的每一个；

用多晶硅填充材料填充所述开口至所述层间电介质材料的所述上表面附近；

进行化学机械抛光过程，以去除所述层间电介质层的一部分并同时去除所述多晶硅填充材料的一部分；

持续所述化学机械抛光过程，直至所述Al₂O₃层中覆盖在所述栅极结构中的一个上方的部分已经被暴露出来为止；以及

利用所述Al₂O₃层中的若干部分作为抛光停止层，同时防止所述多晶硅层的任何部分的任何暴露。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述覆盖层包含氮化硅。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述Al₂O₃层具有范围在约1纳米到约5纳米的厚度。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述Al₂O₃层具有约3纳米的厚度。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述Al₂O₃层利用三甲基铝和含臭氧物质形成。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述Al₂O₃层和多晶硅具有1∶10的选择性比率。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述化学机械抛光过程包括含氟物质。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述Al₂O₃层基本没有针孔或者其他的缺陷。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述多个栅极结构包含三个栅极。

10.如权利要求1所述的方法，还包括在所述化学机械抛光过程之后进行回蚀过程。