[发明专利]检验闪存单元电性能的方法无效
| 申请号： | 200610119139.3 | 申请日： | 2006-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101197196A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 金泰圭;金钟雨;叶向华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/52 | 分类号： | G11C29/52;G11C29/00;G11C16/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 检验 闪存 单元 性能 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种检验闪存单元电性能的方法，包括首次存储电子编程、预检、使用模拟、终检，其特征在于，在所述使用模拟之前对于通过预检的闪存单元再次进行存储电子编程。
2.如权利要求1所述的检验闪存单元电性能的方法，其特征在于，所述首次存储电子编程是向闪存单元的浮栅进行热电子注入。
3.如权利要求2所述的检验闪存单元电性能的方法，其特征在于，所述首次存储电子编程的持续时间为4微秒。
4.如权利要求1所述的检验闪存单元电性能的方法，其特征在于，所述预检为判断闪存单元的阈值电压是否达到规定的参考值6.5V。
5.如权利要求1所述的检验闪存单元电性能的方法，其特征在于，所述再次存储电子编程是向闪存单元的浮栅进行热电子注入。
6.如权利要求5所述的检验闪存单元电性能的方法，其特征在于，所述热电子注入时间为3-5微秒。
7.如权利要求1所述的检验闪存单元电性能的方法，其特征在于，所述使用模拟是对闪存单元进行24小时，温度为250度的烘培。
8.如权利要求1所述的检验闪存单元电性能的方法，其特征在于，所述终检为判断闪存单元的阈值电压是否仍维持在规定的参考值6.5V。
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