[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610119141.0 | 申请日： | 2006-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101197285A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;韩秋华;杜珊珊;韩宝东 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/43 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法：包括
提供一半导体衬底，在所述衬底表面形成栅极；
形成覆盖所述衬底和栅极表面的高介电常数氧化层；
形成覆盖所述氧化层的氮化硅层；
刻蚀所述氧化层和所述氮化硅层形成侧壁间隔物；
在所述侧壁间隔物两侧的衬底中形成源极和漏极；
形成自对准阻挡层覆盖所述衬底、侧壁间隔物和栅极表面；
在所述栅极、源极和漏极表面形成金属硅化物；
移除所述自对准阻挡层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述高介电常数氧化层的材料为二氧化铪或氧化铪硅。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述二氧化铪采用原子层淀积工艺生长。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述氧化铪硅采用金属氧化物化学气相淀积工艺生长。
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述原子层淀积工艺的反应物包括四氯化铪和氧化剂水。
6.如权利要求3或4所述的方法，其特征在于：反应物包括四甲基乙酯-金属铪胺盐(TEMAHf)和臭氧。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述自对准阻挡层的材料为富硅氧化物，采用化学气相淀积或热氧化法形成。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：采用氢氟酸移除所述自对准阻挡层。
9.一种金属氧化物半导体器件，包括：
半导体衬底；
在衬底表面形成的栅极以及在所述栅极两侧的衬底中形成的源极和漏极；
侧壁间隔物，所述侧壁间隔物包括覆盖所述栅极侧面的高介电常数氧化层和覆盖所述高介电常数氧化层的氮化硅层；和
在所述栅极、源极和漏极表面形成的金属硅化物。
10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于：所述高介电常数氧化层的材料为二氧化铪或氧化铪硅。
11.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于：所述金属硅化物为镍硅化物、钴硅化物或其组合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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