[发明专利]半导体器件中硅化物接触的制造方法无效
| 申请号： | 200610119160.3 | 申请日： | 2006-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101197281A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 方标;朴松源;刘焕新 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;H01L21/3213;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 中硅化物 接触 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件中硅化物接触的制造方法，包括：
提供一具有器件层的半导体基底；
在所述半导体基底上形成金属层；
对所述金属层进行退火；
用硫酸和双氧水的混合溶液对所述金属层选择性刻蚀。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述器件层包括金属氧化物半导体晶体管。
3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述金属层材料包括镍、钛、钴、钽、铂、锗、钨、铜中的一种。
4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述形成金属层的方法为物理气相沉积、化学气相沉积、电镀、原子层沉积中的一种。
5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述硫酸和双氧水的比例为2∶1～8∶1。
6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述硫酸和双氧水的温度大于60℃。
7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述硫酸的浓度为98％。
8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述退火的温度为200～1000℃。
9.一种半导体器件中硅化物接触的制造方法，包括：
在半导体基底上形成金属层；
在所述金属层上形成覆盖层；
对所述半导体基底进行退火；
用硫酸和双氧水的混合溶液对所述金属层和覆盖层选择性刻蚀。
10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于：所述金属层材料包括镍、钛、钴、钽、铂、锗、钨、铜中的一种。
11.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于：所述覆盖层材质包括氮化钛、钛、钨、钽、钴、中的一种或其组合。
12.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于：所述硫酸和双氧水的比例为2∶1～8∶1。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
