[发明专利]晶片压焊键合方法及其结构

权利要求书

1.一种晶片压焊键合方法，包括：

在第一半导体晶片和第二半导体晶片的钝化层中形成第一沟槽和第一连接孔，所述第一连接孔底部露出引线焊块；

在所述第一沟槽和第一连接孔中填充第一金属材料，所述第一沟槽中的第一金属材料形成第一连接焊块；

将所述第一半导体晶片表面和第二半导体晶片表面粘合，其中所述第一半导体晶片、第二半导体晶片表面相应位置的第一连接焊块相接触；

将所述第二半导体晶片背面衬底减薄，并在该半导体晶片背面衬底中形成第二沟槽和贯穿该半导体晶片衬底和器件层的第二连接孔，所述第二连接孔底部露出该半导体晶片的第一连接焊块；

在所述第二连接孔侧壁形成介质层，在所述第二沟槽和第二连接孔中填充第二金属材料，所述第二沟槽中的第二金属材料形成第二连接焊块。

2.如权利要求1所述的晶片压焊键合方法，其特征在于：所述第一金属材料和第二金属材料为同种材质。

3.如权利要求2所述的晶片压焊键合方法，其特征在于：所述第一金属材料和第二金属材料为铜、铝、金、银、钽、钛、氮化钛、氮化钽中的一种或其组合。

4.如权利要求1所述的晶片压焊键合方法，其特征在于：通过退火使所述第一半导体晶片表面和第二半导体晶片表面粘合。

5.如权利要求4所述的晶片压焊键合方法，其特征在于：所述退火温度为150至400度。

6.如权利要求1所述的晶片压焊键合方法，其特征在于：所述介质层为氧化硅。

7.如权利要求1所述的晶片压焊键合方法，其特征在于：该方法进一步包括：在所述第二连接焊块上形成焊料凸块。

8.如权利要求1所述晶片压焊键合方法，其特征在于：该方法进一步包括：在所述第一半导体晶片背面衬底上形成第二连接焊块，并在所述第二连接焊块上形成焊料凸块。

9.一种晶片压焊键合方法，包括：

在第一半导体晶片和第二半导体晶片的钝化层中形成第一沟槽和第一连接孔，所述第一连接孔底部露出引线焊块；

在所述第一沟槽和第一连接孔中填充第一金属材料，所述第一沟槽中的第一金属材料形成第一连接焊块；

将所述第一半导体晶片和第二半导体晶片的表面粘合，其中所述第一半导体晶片、第二半导体晶片表面相应位置的第一连接焊块相接触；

将所述第二半导体晶片背面衬底减薄，并在该半导体晶片背面衬底中形成第二沟槽和贯穿该半导体晶片衬底和器件层的第二连接孔，所述第二连接孔底部露出该半导体晶片的第一连接焊块；

在所述第二连接孔侧壁形成介质层，在所述第二沟槽和第二连接孔中填充第二金属材料，所述第二沟槽中的第二金属材料形成第二连接焊块；

在所述第二半导体晶片背面衬底上至少粘合一第三半导体晶片，其中所述第三半导体晶片表面形成有第一连接焊块，所述第二半导体晶片背面的第二连接焊块和第三半导体晶片表面的相应位置的第一连接焊块相接触，在所述第三半导体晶片背面衬底中形成第二连接焊块，该第二连接焊块通过第三半导体晶片第二连接孔中的第二金属材料与第三半导体晶片表面第一连接焊块连接。

10.如权利要求9所述的晶片压焊键合方法，其特征在于：所述第一金属材料和第二金属材料为同种材质。

11.如权利要求9所述的晶片压焊键合方法，其特征在于：通过退火使所述第一半导体晶片表面和第二半导体晶片表面粘合。

12.如权利要求11所述的晶片压焊键合方法，其特征在于：所述退火温度为150至400度。

13.如权利要求9所述的晶片压焊键合方法，其特征在于：该方法进一步包括：在所述第三半导体晶片的第二连接焊块上形成焊料凸块。

14.如权利要求9所述晶片压焊键合方法，其特征在于：该方法进一步包括：在所述第一半导体晶片背面衬底表面形成第二连接焊块，并在所述第二连接焊块表面形成焊料凸块。