[发明专利]MEMS器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610119169.4 | 申请日： | 2006-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101195471A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 蒲贤勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mems 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种MEMS器件，包括基底，在所述基底表面形成的支撑层，以及在所述支撑层表面形成的结构层，所述结构层具有和所述支撑层表面连接的连接端和可移动端，其特征在于：在所述支撑层中具有至少一个支柱，所述支柱高于所述支撑层表面。
2.如权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于：所述支柱为圆柱体或方柱体。
3.如权利要求2所述的MEMS器件，其特征在于：所述支柱的表面为平面、梯形小台面、锥尖顶或球面。
4.一种MEMS器件，包括基底，在所述基底表面形成的支撑层，以及在所述支撑层表面形成的结构层，所述结构层具有与所述支撑层表面连接的连接端和可移动端，其特征在于：所述支撑层表面具有至少一个支柱。
5.如权利要求4所述的MEMS器件，其特征在于：所述支柱为圆柱体或方柱体。
6.如权利要求5所述的MEMS器件，其特征在于：所述支柱的表面为平面、梯形小台面、锥尖顶或球面。
7.一种MEMS器件的制造方法，包括：
提供一基底；
在所述基底表面形成支撑层；
在所述支撑层表面形成辅助层；
刻蚀所述牺牲层和所述支撑层，在所述支撑层中形成沟槽；
在所述沟槽中填充支柱材料；
平坦化所述支柱材料；
去除所述辅助层形成支柱；
在所述支撑层表面形成结构层。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于：去除所述牺牲层后，所述方法还包括对所述支柱表面进行干法或湿法，或者干法加湿法腐蚀的步骤。
9.一种MEMS器件的制造方法，包括：
提供一基底；
在所述基底表面形成支撑层；
在所述支撑层表面形成支柱材料层；
刻蚀所述支柱材料层形成支柱；
在所述支撑层表面形成结构层。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于：所述方法还包括对所述支柱表面进行干法或湿法，或者干法加湿法腐蚀的步骤。
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