[发明专利]缩小EEPROM中隧道窗口的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺方法，尤其是涉及一种缩小EEPROM(Electronically Erasable Programmable Read-only Memory，电擦除可编程只读存储器)中隧道窗口(Tunnel Window)的方法。

背景技术

随着EEPROM技术的发展，单元的尺寸越来越小，隧道窗口的缩小不仅有利于缩小EEPROM的单个单元的面积，而且有利于提高单元的读写特性。但是如果用干法刻蚀来刻蚀出隧道窗口，隧道氧化层就容易受到等离子体的损伤，所以一般隧道窗口用湿法刻蚀来刻蚀，然而湿法刻蚀也有缺点，其横向刻蚀很大，想要通过湿法刻蚀直接刻蚀出较小的隧道窗口不容易。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种缩小EEPROM中隧道窗口的方法，能得到较小尺寸的隧道窗口。

为了解决上述技术问题，本发明的缩小EEPROM中隧道窗口的方法包括如下步骤：

(1)在衬底上长一层氧化层；

(2)在步骤(1)的氧化层上生长一层氮化层；

(3)通过曝光使开隧道窗口上面的氮化层不被刻蚀掉；

(4)湿法刻蚀去除隧道窗口周围的氮化层；

(5)用LOCOS法在没有氮化层覆盖的氧化层上生长一层栅氧化层；

(6)湿法刻蚀去掉经步骤(5)后剩余的氮化层，即得单元的栅氧化层和隧道氧化层。

本发明的缩小EEPROM中隧道窗口的方法，通过结合湿法刻蚀的反向刻蚀和LOCOS(Local Oxidation on Silicon，硅的局部氧化)的方法，能顺利得到较小尺寸的隧道窗口。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。

图1是本发明缩小EEPROM中隧道窗口的方法的工艺流程图；

图2-7是本发明缩小EEPROM中隧道窗口的方法中一个实施例的工艺流程示意图。

具体实施方式

本发明缩小EEPROM中隧道窗口的方法通过结合反向湿法刻蚀和LOCOS的方法来得到较小尺寸的隧道窗口。硅的局部氧化LOCOS法是利用光刻刻蚀技术在硅表面的氮化硅上开出氧化窗口，再利用氮化硅的掩膜作用在大约1000℃的高温下对没有氮化硅覆盖的场区进行氧化。如图1所示，本发明方法包括如下步骤：

(1)在衬底上长一层氧化层；

(2)在步骤(1)的氧化层上生长一层氮化层；

(3)通过曝光使开隧道窗口上面的氮化层不被刻蚀掉；

(4)湿法刻蚀去除隧道窗口周围的氮化层，可根据最后所需的隧道窗口上氮化层CD(Critical Dimension，临界尺寸)大小选择不同的湿法刻蚀时间，从而得到不同CD大小的氮化点(nitride dot)；

(5)用LOCOS法在没有氮化层覆盖的氧化层上生长一层栅氧化层；

(6)湿法刻蚀去掉经步骤(5)后剩余的氮化层，即可得单元的栅氧化层和隧道氧化层，同时也得到较小尺寸的隧道窗口。

所述步骤(2)可生长一层较厚的氮化层，然后在步骤(4)湿法刻蚀拔胶后，再另外增加一次无光刻胶阻挡的对隧道窗口所在位置的氮化层的湿法刻蚀，就可使隧道窗口上面的氮化层CD更小，也就是最终可得到更小尺寸的隧道窗口。

在本发明的一个实施例中，缩小EEPROM中隧道窗口的工艺方法的具体步骤如下：

(1)在衬底上先长一层的隧道氧化层(见图2)；

(2)在步骤(1)的氧化层上生长一层的氮化硅(见图3)；

(3)通过曝光使开隧道窗口上面的氮化层不被刻蚀掉，其中，CD为0.3u(见图4)；

(4)湿法刻蚀去除隧道窗口周围的氮化层，可根据最后所需的CD大小选择不同的湿法刻蚀时间，从而得到不同CD大小的氮化点(见图5)；

(5)用类似于LOCOS的方法在没有氮化层覆盖的氧化层上生长一层的栅氧化层(见图6)；

(6)湿法刻蚀去掉经步骤(5)后剩余的氮化层，即得单元的栅氧化层和隧道氧化层，同时也得到较小尺寸的隧道窗口(见图7)。

还可通过在所述步骤(2)生长一层较厚的氮化硅()，然后在步骤(4)湿法刻蚀拔胶后，再另外增加一次无光刻胶阻挡的对隧道窗口所在位置的氮化层的湿法刻蚀，就可使隧道窗口上面的氮化层CD更小，也就是最终可得到更小尺寸的隧道窗口。