[发明专利]硅基硅/锗纳米晶粒的制备方法有效
| 申请号： | 200610119192.3 | 申请日： | 2006-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN101197259A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 沈今楷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅基硅 纳米 晶粒 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅基硅/锗纳米晶粒的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)制备二氧化硅过饱和磷酸溶液；
(2)将硅衬底浸润到二氧化硅过饱和磷酸溶液中，二氧化硅在硅衬底表面析出形成二氧化硅颗粒；
(3)将硅离子或锗离子注入到二氧化硅颗粒中；
(4)退火形成硅/锗纳米晶粒。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的二氧化硅过饱和磷酸溶液是由氮化硅溶解到磷酸溶液中制备形成。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(3)中硅离子或锗离子注入剂量为1E12cm-2～1E15cm-2。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(3)中硅离子或锗离子注入能量为10KeV～100KeV。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(4)中退火温度为400℃～1100℃。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(4)中退火时间为10分钟～120分钟。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(4)中退火气体为惰性气体。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述退火气体为氮气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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