[发明专利]可改善温度效应的高压MOS器件模型

权利要求书

1.一种可改善温度效应的高压MOS器件模型，包括核心MOS器件，该核心MOS器件的漏极与电源之间电连接第一可变电阻、该核心器件的源极与地之间电连接第二可变电阻，该第一可变电阻的电阻值r1和该第二可变电阻的电阻值r2分别根据下述表达式确定：

r1＝rdsd*(1+vv1*|v1(d1，d11)|)/(w+weff)，

r2＝rdss*(1+vv1*|v2(d2，d21)|)/(w+weff)，

其中，

rdsd为电阻常数，其数值范围是：1E-5～1E-3，

rdss为另一电阻常数，其数值范围是：1E-5～1E-3，

vv1为电阻的电压系数，其数值范围是：1E-2～1E2，

weff为有效的沟道宽度，其数值范围是：1E-10～1E-6，

d1和d11是等效电路中第一可变电阻两端的二个内部电路节点，v1(d1，d11)为r1两端的电压降，

d2和d21是等效电路中第二可变电阻两端的二个内部电路节点，v2(d2，d21)为r2两端的电压降，

W为高压MOS器件的沟道宽度；

其特征是，r1和r2分别根据下列关系式修正：

r1(T)＝r1(RT)*(1+tc1x*(T-RT)+tc2x*(T-RT)*(T-RT))，

r2(T)＝r2(RT)*(1+tc1x*(T-RT)+tc2x*(T-RT)*(T-RT))，

其中，

r1(RT)是第一可变电阻在室温为RT时的电阻值，

r2(RT)是第二可变电阻在室温为RT时的电阻值，

r1(T)是第一可变电阻在温度为T时的电阻值，

r2(T)是第二可变电阻在温度为T时的电阻值，

tc1x为电阻的一阶温度系数，其数值范围是：1E-5～1E-1，

tc2x为电阻的二阶温度系数，其数值范围是：1E-7～1E-3。

2.根据权利要求1所述的可改善温度效应的高压MOS器件模型，其特征是：所述rdsd＝3.78E-4；所述rdss＝9.4E-4；所述vv1＝9.5；所述weff＝7E-8；所述tc1x＝1.4E-3；所述tc2x＝1E-5。