[发明专利]蚀刻铜或者铜合金的方法有效
申请号: | 200610119363.2 | 申请日: | 2006-12-08 |
公开(公告)号: | CN101195917A | 公开(公告)日: | 2008-06-11 |
发明(设计)人: | 洪中山;何其旸 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | C23F1/46 | 分类号: | C23F1/46;C23F1/14;H01L21/3213 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蚀刻 或者 铜合金 方法 | ||
1.一种蚀刻铜或者铜合金的方法,包括如下步骤:
将带有铜或者铜合金的晶圆以及蚀刻剂放入电化学反应装置的反应槽中,去除需蚀刻的铜或者铜合金;
导通电化学反应装置。
2.根据权利要求1所述蚀刻铜或者铜合金的方法,其特征在于:所述电化学反应装置的阴极材料为铜。
3.根据权利要求1所述蚀刻铜或者铜合金的方法,其特征在于:所述蚀刻剂中含有氧化剂、铜及铜合金的至少一种弱络合剂和一种强络合剂的混合物、以及水,所述蚀刻剂的pH值为6至12。
4.根据权利要求3所述蚀刻铜或者铜合金的方法,其特征在于:所述氧化剂为过氧化氢、过氧羧酸盐、过硼酸盐中的一种或者几种的混合物。
5.根据权利要求3所述蚀刻铜或者铜合金的方法,其特征在于:所述弱络合剂与铜的累积稳定常数小于等于1014。
6.根据权利要求3所述蚀刻铜或者铜合金的方法,其特征在于:所述弱络合剂为氨、乙二胺、甲胺、四甲基氢氧化铵或者2-羟乙基三甲基氢氧化铵。
7.根据权利要求3所述蚀刻铜或者铜合金的方法,其特征在于:所述强络合剂为与铜的累积稳定常数大于等于1015。
8.根据权利要求3所述蚀刻铜或者铜合金的方法,其特征在于:所述强络合剂是1,2-环己烷二胺四乙酸、乙二胺四乙酸、三亚乙基四胺六乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、2,2-二甲基1,3-二氨基丙烷N,N,N′,N′-四乙酸、顺,顺,顺-3,5-二甲基-1,2-二氛基环戊烷-N,N,N′,N′-四乙酸和顺双环(2.2.2)辛烷-2,3-二胺基-N,N,N,N′-四乙酸。
9.根据权利要求3所述蚀刻铜或者铜合金的方法,其特征在于:pH值通过加入硫酸、乙酸、甲磺酸、氮氧化钠、氢氧化钾或者四甲基氢氧化铵进行调节。
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