[发明专利]制造接触的系统和方法

权利要求书

1.一种制造集成电路的方法，包括：

提供半导体基片；

在所述半导体基片上限定多个接触区；

在所述多个接触区上形成多个电介质结构；

在所述半导体基片上形成多个开口，每一个所述开口以至少深度、宽度和高宽比为特征；

使用第一类型的材料在所述开口内执行沉积，所述第一类型的材料包括钛材料；

在预定条件执行退火，所述预定条件包括预定范围的温度和预定范围的氧浓度，所述氧浓度的预定范围大约是在百万分之141到百万分之1000之间；以及

通过把钨材料填充到所述多个开口中来形成金属接触，所述金属接触与低电阻值有关。

2.权利要求1的方法，还包括使用所述第一类型的材料形成沉积层。

3.权利要求2的方法，其中所述沉积层包括回蚀刻层。

4.权利要求2的方法，其中所述沉积层包括抗反射层。

5.权利要求1的方法，其中执行退火大约30分钟。

6.权利要求1的方法，其中所述集成电路包括DRAM单元。

7.权利要求1的方法，其中所述第一类型的材料包括氮化钛材料。

8.权利要求1的方法，其中所述第一类型的材料包括硅化钛材料。

9.权利要求1的方法，其中温度的预定范围在600℃以下。

10.权利要求1的方法，其中温度的预定范围在500℃到600℃。

11.权利要求1的方法，其中所述执行沉积包括形成回蚀刻层。

12.权利要求1的方法，其中所述执行沉积包括形成抗反射层。

13.权利要求1的方法，其中所述执行沉积包括形成粘着层。

14.权利要求1的方法，其中所述金属接触包括钨插塞。

15.一种制造集成电路的方法，包括：

提供半导体基片；

在所述半导体基片上限定多个接触区；

在所述多个接触区上形成多个电介质结构；

在所述半导体基片上形成多个开口，每一个所述开口以至少深度、宽度和高宽比为特征；

使用第一类型的材料在所述开口内执行沉积，所述第一类型的材料包括钛材料；

在所述第一类型的材料上形成具有一厚度的氧化层；以及

通过把钨材料填充到所述多个开口中来形成金属接触，所述金属接触与低电阻值有关。

16.一种制造集成电路的方法，包括：

提供部分处理的半导体基片，所述部分处理的半导体基片包括设置于电介质结构内的至少一个开口；

使用第一类型的材料在所述至少一个开口内形成沉积层，所述第一类型的材料包括钛材料；

在预定条件执行退火，所述预定条件包括预定范围的温度和预定范围的氧浓度，所述氧浓度的预定范围大约是在百万分之141到百万分之1000之间；以及

通过把钨材料填充到所述多个开口中来形成金属接触，所述金属接触与低电阻值有关。

17.权利要求16的方法，其中所述第一类型的材料还包括氮化钛。

18.权利要求16的方法，其中所述沉积层与所述电介质结构形成欧姆接触。