[发明专利]浮栅闪存器件结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种浮栅闪存器件结构。

背景技术

现有的浮栅闪存器件结构可参见图1所示，包括源极2和漏极1，在所述源极2和漏极1之间间隙的上方设置有多晶硅浮栅4和控制栅5，所述浮栅4与所述源极2和漏极1之间隔有二氧化硅层3，所述浮栅4的上缘为两端向上突起的弧形，所述控制栅5包括本体部分51和覆盖部分52，所述控制栅5的本体部分51位于所述浮栅的一侧，所述控制栅5的覆盖部分52的下缘为半弧形，所述控制栅5的覆盖部分52的将所述浮栅4的一半罩住。进行“擦”操作时，如图1中箭头所示，控制栅5接高电压，源极2和漏极1接低电压，电子从浮栅4左边的尖端流入控制栅5。这种结构使得耐用度不容易优化提高。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种浮栅闪存器件结构，能够大大的提高浮栅闪存器件的耐用度。

为解决上述技术问题，本发明浮栅闪存器件结构的技术方案是，包括源极和漏极，在所述源极和漏极之间间隙的上方设置有多晶硅浮栅和控制栅，所述浮栅与所述源极和漏极之间隔有二氧化硅层，其特征在于，所述浮栅为两端有向上突起的尖角的“凹”字形，所述控制栅为拐角位置都垂直的“Z”字形，所述控制栅包括本体部分和覆盖部分，所述“Z”字形控制栅的下部为本体部分，所述“Z”字形控制栅的上部为覆盖部分，所述控制栅的本体部分位于所述浮栅的一侧，所述控制栅的覆盖部分部分罩住所述浮栅，所述浮栅被所述控制栅的覆盖部分罩住的部分包括浮栅的一个尖角，所述浮栅与所述控制栅的覆盖部分之间隔有二氧化硅。

本发明通过上述结构，使得浮栅的尖角更尖，从而大大的提高了浮栅闪存器件的耐用度。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明：

图1为现有的浮栅闪存器件结构示意图；

图2为本发明浮栅闪存器件结构示意图；

图3至图9为制作本发明浮栅闪存器件中浮栅的示意图。

图中附图标记为，1.漏极；2.源极；3.二氧化硅层；4.浮栅；5.控制栅；51.控制栅本体部分；52.控制栅覆盖部分；6.二氧化硅；7.多晶硅；8.二氧化硅层；9.氮化硅；10.浅沟；11.二氧化硅。

具体实施方式

本发明浮栅闪存器件结构可参见图2所示，包括源极2和漏极1，在所述源极2和漏极1之间间隙的上方设置有多晶硅浮栅4和控制栅5，所述浮栅4与所述源极2和漏极1之间隔有二氧化硅层3，所述浮栅4为两端有向上突起的尖角的“凹”字形，所述控制栅5为拐角位置都垂直的“Z”字形，所述控制栅5包括本体部分51和覆盖部分52，所述“Z”字形控制栅5的下部为本体部分51，所述“Z”字形控制栅5的上部为覆盖部分52，所述控制栅5的本体部51分位于所述浮栅4的一侧，所述控制栅5的覆盖部分52部分罩住所述浮栅4，所述浮栅4被所述控制栅5的覆盖部分52罩住的部分包括浮栅的一个尖角，所述浮栅4与所述控制栅5的覆盖部分52之间隔有二氧化硅6。所述控制栅5的覆盖部分52的下缘为平的。

本发明通过采用上述“凹”字形的浮栅结构和“Z”字形的控制栅结构，与现有技术相比，使得浮栅的尖角更尖，因此可以大大的提高浮栅闪存器件的耐用度。

本发明浮栅闪存器件中浮栅可以采用如下的方法进行制作，具体步骤包括：

(1)淀积多晶硅7，生长二氧化硅层8，之后淀积氮化硅层9，如图3所示，生长二氧化硅层8可采用热氧化的方法；

(2)干刻去掉浮栅位置区域的氮化硅，如图4所示；

(3)干刻去除浮栅位置区域的二氧化硅，并且在多晶硅7上位于浮栅位置区域非垂直干刻出浅沟10，所述浅沟的底部为平底的，侧壁具有坡度，如图5所示；

(4)再次淀积二氧化硅11填满浅沟，如图6所示；

(5)化学机械研磨去除浮栅位置以外第(4)步淀积的二氧化硅，完全露出氮化硅层9，从而形成了隔离在所述浮栅与控制栅之间的二氧化硅6，如图7所示；

(6)刻蚀掉浮栅位置区域以外第(1)步淀积的氮化硅层和二氧化硅层，只剩下带有浅沟的多晶硅7和二氧化硅6，如图8所示；

(7)刻蚀去掉未被第(5)步得到的二氧化硅6覆盖的多晶硅7，从而得到浮栅4，如图9所示。

通过上述方法可以得到本发明浮栅闪存器件结构中的浮栅，使得所述浮栅的尖角更尖，大大提高闪存器件的耐用度，从而提高器件的性能。