[发明专利]一种多晶硅电容耦合OTP器件及其制造方法

权利要求书

1.一种多晶硅电容耦合OTP器件，包括存储器晶体管、多晶硅浮栅，其特征在于，还包括PIP电容，并且所述PIP电容的下电极作为浮栅控制所述存储器晶体管的沟道，所述PIP电容的上电极作为浮栅的控制端。

2.根据权利要求1所述多晶硅电容耦合OTP器件，其特征在，所述PIP电容的上电极突出到所述PIP电容的下电极。

3.一种制造权利要求1的器件的方法，其特征在于，使用PIP电容与所述存储器晶体管相结合，且用所述PIP电容的下电极作为浮栅控制所述存储器晶体管的沟道，用PIP的上电极作为浮栅的控制端。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，将所述PIP电容的上电极制作为突出到所述PIP电容的下电极的结构。