[发明专利]针对大锡球的晶圆减薄制程无效
| 申请号： | 200610119538.X | 申请日： | 2006-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101202201A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 靳永刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/60;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 针对 大锡球 晶圆减薄制程 | ||
1.一种针对大锡球的晶圆减薄制程，其特征在于，该制程在锡球尚未回流成型之前先粘贴保护胶，然后再进行晶背研磨。
2.如权利要求1所述的一种针对大锡球的晶圆减薄制程，其特征在于：该制程包括如下步骤：
a.在晶圆上沉积一层金属介质层，并在金属介质层上覆盖一层光胶层；
b.利用光刻法在光胶层开孔；
c.在光胶层的开孔内形成锡球；
d.在光胶正面粘贴保护胶后进行晶背研磨。
3.如权利要求2所述的一种针对大锡球的晶圆减薄制程，其特征在于：步骤d还包括如下步骤：
e.去除保护胶及光胶层；
f.蚀刻金属以去除生长锡球之外的金属介质层；
g.回流晶圆使锡球成型。
4.如权利要求3所述的一种针对大锡球的晶圆减薄制程，其特征在于：保护胶为紫外胶。
5.如权利要求4所述的一种针对大锡球的晶圆减薄制程，其特征在于：通过紫外光照射紫外胶以去除紫外胶的粘性。
6.如权利要求1所述的一种针对大锡球的晶圆减薄制程，其特征在于：该制程包括如下步骤：
a.在晶圆上沉积一层金属介质层，并在金属介质层上覆盖一层光胶层；
b.利用光刻法在生长锡球的位置形成光胶保护区；
c.蚀刻光胶保护区以外的金属介质层并去除光胶层；
d.在金属介质层的上方粘贴保护胶，然后进行晶背研磨。
7.如权利要求6所述的一种针对大锡球的晶圆减薄制程，其特征在于：光胶保护区是通过曝光显影工艺去除生长锡球位置以外的光胶而形成。
8.如权利要求6所述的一种针对大锡球的晶圆减薄制程，其特征在于：步骤d还包括如下步骤：
e.去除保护胶及光胶；
f.使用锡球贴装法将锡球贴到金属介质层上；
g.蚀刻金属以去除生长锡球之外的金属介质层；
h.回流晶圆使锡球成型。
9.如权利要求8所述的一种针对大锡球的晶圆减薄制程，其特征在于：保护胶为紫外胶。
10.如权利要求9所述的一种针对大锡球的晶圆减薄制程，其特征在于：通过紫外光照射紫外胶以去除紫外胶的粘性。
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