[发明专利]用于等比例缩小工艺的SPICE模型方法

权利要求书

1.一种用于等比例缩小工艺的SPICE模型方法，包括如下步骤：步骤1，模型数据测量；步骤2，模型参数提取；步骤3模型仿真；其特征在于，在步骤2中，设置SPICE模型参数，并将实际工艺中的设计值转换为实际值，把物理尺寸的缩小量反映在模型参数中。

2.如权利要求1所述的用于等比例缩小工艺的SPICE模型方法，其特征在于，步骤2中所述的设置SPICE模型参数，通过在常规BSIM模型中选取如下物理参数，包括直流特性相关的参数及电容相关的参数。

3.如权利要求1或2所述的用于等比例缩小工艺的SPICE模型方法，其特征在于，在步骤2中按如下方法将晶体管宽和长的设计值转换为实际值：设置以下四个参数lln＝-1，wwn＝-1，ll＝0.5*(1-ratio)，ww＝0.5*(1-ratio)为固定值，按以下公式(1)～(4)将设计值转换为实际值：

其中，ratio为工艺缩小比例，Leff为晶体管的有效沟道长，Weff为晶体管的有效沟道宽，L为晶体管长的设计值，W为晶体管宽的设计值，DL、Lint、lw、lwn、lwl、lln、lwn、DW、Wint、wl、wln、wwl、wln、wwn、ll和ww为直流特性相关的参数。

4.如权利要求1或2所述的用于等比例缩小工艺的SPICE模型方法，其特征在于，在步骤2中按如下方法将结电容和栅电容的设计值转换为实际值：结电容，通过选取Cj，Cjsw，Cjswg参数乘以系数ratio；栅电容，通过选取电容相关模型参数，设置llc＝ll＝0.5*(1-ratio)，wwc＝ww＝0.5*(1-ratio)，按以下公式(a)～(d)将设计值转换为实际值：

其中，ratio为工艺缩小比例，Leffc为晶体管的有效沟道长，Weffc为晶体管的有效沟道宽，L为晶体管长的设计值，W为晶体管宽的设计值，DL、DLC、lwc、lwn、lwlc、lln、lwn、DW、DWC、wlc、wln、wwlc、wln、wwn、llc和wwc为电容相关模型参数。