[发明专利]频率发生装置及其控制电路有效

专利信息
申请号: 200610121468.1 申请日: 2006-08-24
公开(公告)号: CN101132166A 公开(公告)日: 2008-02-27
发明(设计)人: 廖作祥 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H03B5/02 分类号: H03B5/02
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 王志森;黄小临
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 频率 发生 装置 及其 控制电路
【权利要求书】:

1.一种频率发生装置,包括:

一控制电路,该控制电路包含一电子熔丝,并且该控制电路依据该电子熔丝的状态而输出一启用信号;以及

一频率发生器,耦接至该控制电路,用以接收该启用信号,并依据该启用信号决定是否输出一频率信号。

2.如权利要求1所述的频率发生装置,其中该控制电路包括:

该电子熔丝,其第一端耦接至一编设节点;

一第一开关,具有第一端、第二端、以及控制端,该第一开关的第一端耦接至该电子熔丝的第一端,该第一开关的第二端接地,并且该第一开关的控制端接收一第一控制信号,以依据该第一控制信号决定是否导通该第一开关;

一第一阻抗,该第一阻抗的第一端耦接至一第一电压;

一第二阻抗,该第二阻抗的第一端耦接至该第一电压;

一电流镜像装置,具有第一端、第二端、第三端、以及第四端,该电流镜像装置的第一端耦接至该第一阻抗的第二端,该电流镜像装置的该第二端耦接至该第二阻抗的第二端,其中该电流镜像装置依据流过其第一端与第三端的电流而决定其第二端与第四端的电流值,且该电流镜像装置的第二端输出该启用信号;

一第二开关,具有第一端、第二端、以及控制端,该第二开关的第一端耦接至该电流镜像装置的第三端,并且该第二开关的控制端接收该第一控制信号,以依据该第一控制信号决定是否导通该第二开关;

一第三开关,具有第一端、第二端、以及控制端,该第三开关的第一端耦接至该电流镜像装置的第四端,该第三开关的第二端耦接至该电子熔丝的第二端,并且该第三开关的控制端接收该第一控制信号,以依据该第一控制信号决定是否导通该第三开关;

一第四开关,具有第一端、第二端、以及控制端,该第四开关的第一端耦接至该第二开关的第二端,该第四开关的第二端接地,该第四开关的控制端接收该第一控制信号,以依据该第一控制信号决定是否导通该第四开关;以及

一第五开关,具有第一端、第二端、以及控制端,该第五开关的第一端耦接至该第三开关的第二端,该第五开关的该第二端接地,该第五开关的控制端接收一第二控制信号,以依据该第二控制信号决定是否导通该第五开关。

3.如权利要求2所述的频率发生装置,其中该第一阻抗包括一PMOS晶体管,并且该PMOS晶体管的二个源/漏极端分别为该第一阻抗的第一端与第二端,而该PMOS晶体管的栅极端接地。

4.如权利要求3所述的频率发生装置,其中该第二阻抗包括一PMOS晶体管,并且该PMOS晶体管的二个源/漏极端分别为该第二阻抗的第一端与第二端,而该PMOS晶体管的栅极端接地。

5.如权利要求2所述的频率发生装置,其中该第一阻抗与该第二阻抗包括一电阻。

6.如权利要求2所述的频率发生装置,其中该电流镜像装置包括:

一第一MOS晶体管,该第一MOS晶体管的漏极端耦接至该第一MOS晶体管的栅极端,其中该第一MOS晶体管的漏极端为该电流镜像装置的第一端,而该第一MOS晶体管的源极端为该电流镜像装置的第三端;以及

一第二MOS晶体管,该第二MOS晶体管的栅极端耦接至该第一MOS晶体管的栅极端,其中该第二MOS晶体管的漏极端为该电流镜像装置的第二端,该第二MOS晶体管的源极端为该电流镜像装置的第四端。

7.如权利要求6所述的频率发生装置,其中该第一MOS晶体管与该第二MOS晶体管包括NMOS晶体管。

8.如权利要求2所述的频率发生装置,其中该控制电路还包括一第三阻抗,该第三阻抗串接于该第二开关的该第二端与该第四开关的该第一端之间。

9.如权利要求8所述的频率发生装置,其中该第三阻抗包括一电阻。

10.如权利要求2所述的频率发生装置,其中该控制电路还包括一输出装置,该输出装置的输入端耦接至该电流镜像装置的该第二端,而该输出装置的输出端耦接至该频率发生器,该输出装置用以接收并增强该启用信号。

11.如权利要求10所述的频率发生装置,其中该输出装置包括:

一第一反相器,该第一反相器的输入端为该输出装置的输入端;以及

一第二反相器,该第二反相器的输入端耦接至该第一反相器的输出端,该第二反相器的输出端为该输出装置的输出端。

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