[发明专利]有机半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种有机半导体元件的制造方法，包括：

在基底上形成栅极导体层；

在该基底与该栅极导体层上形成栅介电层；

在该栅极导体层两侧的该栅介电层上分别形成图案化金属层；

于各该图案化金属层的上表面以及相邻的侧壁上分别形成电极改质层，各该图案化金属层与其上所覆盖的该电极改质层做为源极/漏极；以及

在该源极/漏极之间及其上方形成有机半导体层，以做为有源层。

2.如权利要求1所述的有机半导体元件的制造方法，其中该电极改质层的形成方法包括：

在该基底上形成电极改质材料层，以覆盖该图案化金属层与该栅介电层；以及

以激光照射并去除该图案化金属层之间的部分该电极改质材料层。

3.如权利要求2所述的有机半导体元件的制造方法，其中该电极改质材料层的形成方法包括旋转涂布法。

4.如权利要求1所述的有机半导体元件的制造方法，其中该电极改质层的材质包括导电高分子。

5.如权利要求4所述的有机半导体元件的制造方法，其中该导电高分子的材质包括聚3，4-乙撑二氧噻吩、聚4-苯乙烯磺酸钠、聚苯胺或聚吡咯。

6.如权利要求1所述的有机半导体元件的制造方法，其中该有机半导体层的材质包括并五苯或聚3-己噻吩。

7.如权利要求1所述的有机半导体元件的制造方法，其中在形成该些图案化金属层与形成该电极改质层的步骤之间，还包括在该二图案化金属层之间所裸露的该栅介电层上形成中间层。

8.如权利要求7所述的有机半导体元件的制造方法，其中该中间层的材质包括十八烷基三氯硅烷单层膜或聚酰亚胺或聚甲基丙烯酸甲酯。

9.一种有机半导体元件，包括：

栅极导体层，位于基底上；

栅介电层，覆盖于该基底与该栅极导体层上；

源极/漏极，位于该栅极导体层两侧的该栅介电层上，各该源极/漏极包括：

图案化金属层，位于该栅介电层；以及

电极改质层，覆盖于该图案化金属层的上表面与侧壁；以及

有源层，覆盖该部分该些源极/漏极并填充于该些源极/漏极之间的间隙中。

10.如权利要求9所述的有机半导体元件，其中该电极改质层的材质包括导电高分子。

11.如权利要求10所述的有机半导体元件，其中该导电高分子的材质包括聚3，4-乙撑二氧噻吩、聚4-苯乙烯磺酸钠或聚苯胺或聚吡咯。

12.如权利要求9所述的有机半导体元件，还包括中间层，位于该二图案化金属层之间以及该有源层与该栅介电层之间。

13.如权利要求9所述的有机半导体元件，其中该中间层的材质包括十八烷基三氯硅烷单层膜、聚酰亚胺或聚甲基丙烯酸甲酯。

14.如权利要求9所述的有机半导体元件，其中该有源层的材质包括有机半导体。

15.一种有机半导体元件，包括：

二电极，各电极包括：

图案化金属层；以及

电极改质层，覆盖于该图案化金属层的上表面与侧壁；以及

有机半导体层，位于该二电极之间并延伸覆盖部分该电极改质层。

16.如权利要求15所述的有机半导体元件，其中该电极改质层的材质包括导电高分子。

17.如权利要求16所述的有机半导体元件，其中该导电高分子的材质包括聚3，4-乙撑二氧噻吩、聚4-苯乙烯磺酸钠、聚苯胺或聚吡咯。

18.如权利要求15所述的有机半导体元件，其中该有机半导体层的材质包括并五苯或聚3-己噻吩。