[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括：

提供一基板，该基板上已形成有多个第一多晶硅岛状物、多个第二多晶硅岛状物、多个第三多晶硅岛状物、一栅绝缘层、多个第一栅极、多个第二栅极、多个第三栅极与一第一保护层，其中该基板具有一周边区与一阵列区，而该些第一多晶硅岛状物与该些第二多晶硅岛状物位于该周边区上，且该些第三多晶硅岛状物位于该阵列区上，该栅绝缘层覆盖住该些第一多晶硅岛状物、该些第二多晶硅岛状物与该些第三多晶硅岛状物，该些第一栅极、该些第二栅极与该些第三栅极分别位于该些第一多晶硅岛状物、该些第二多晶硅岛状物以及该些第三多晶硅岛状物上方的该栅绝缘层上，该第一保护层覆盖该些第一栅极、该些第二栅极与该些第三栅极，且各该第二多晶硅岛状物内已形成有一第二源极/漏极，而各该第三多晶硅岛状物内已形成有一第三源极/漏极，该些第二多晶硅岛状物与该些第三多晶硅岛状物内已注入有离子；

利用一第三半调式光掩膜在该第一保护层上形成一第三图案化光阻层，其中该第三图案化光阻层暴露出该些第一多晶硅岛状物上方的该第一保护层的部分区域；

以该第三图案化光阻层为掩膜进行一第一离子注入工艺，以于各该第一多晶硅岛状物内形成一第一源极/漏极，其中该第一源极/漏极之间即是一第一沟道区；

移除该第三图案化光阻层的部分厚度，以暴露出该些第二多晶硅岛状物与该些第三多晶硅岛状物上方的该第一保护层的部分区域；

以该第三图案化光阻层为掩膜移除部分该第一保护层与该栅绝缘层，以暴露出各该第一源极/漏极的部分、各该第二源极/漏极的部分与各该第三源极/漏极的部分，并形成一第一图案化保护层；

移除该第三图案化光阻层；

在该第一图案化保护层上形成多个第一源极/漏极导体层、多个第二源极/漏极导体层与多个第三源极/漏极导体层，其中该些第一源极/漏极导体层分别与该些第一源极/漏极电性连接，而该些第二源极/漏极导体层分别与该些第二源极/漏极电性连接，且该些第三源极/漏极导体层分别与该些第三源极/漏极电性连接；

在该第一图案化保护层上形成一第二图案化保护层，其中该第二图案化保护层暴露出各该第三源极/漏极导体层的部分；以及

在该第二图案化保护层上形成多个像素电极，其中各该像素电极与相对应的该第三源极/漏极导体层电性连接。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，形成该些第一多晶硅岛状物、该些第二多晶硅岛状物与该些第三多晶硅岛状物的方法包括：

在该基板上形成一多晶硅层；

利用一第一半调式光掩膜在该多晶硅层上形成一第一图案化光阻层；

以该第一图案化光阻层为掩膜移除部分该多晶硅层，以形成该些第一多晶硅岛状物、该些第二多晶硅岛状物与该些第三多晶硅岛状物；

移除该些第二多晶硅岛状物与该些第三多晶硅岛状物上方的该第一图案化光阻层；

进行一沟道掺杂工艺，以于该些第二多晶硅岛状物与该些第三多晶硅岛状物内注入离子；以及

移除该第一图案化光阻层。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，在移除该第一图案化光阻层之后，还包括：

进行一第二离子注入工艺，以于各该第二多晶硅岛状物内形成该第二源极/漏极并于各该第三多晶硅岛状物内形成该第三源极/漏极，其中该第二源极/漏极之间即是一第二沟道区，且该第三源极/漏极之间即是一第三沟道区；

在该基板上形成一栅绝缘层，以覆盖住该些第一多晶硅岛状物、该些第二多晶硅岛状物与该些第三多晶硅岛状物；

在该栅绝缘层上形成该些第一栅极、该些第二栅极与该些第三栅极，其中该些第一栅极、该些第二栅极与该些第三栅极分别位于该些第一多晶硅岛状物、该些第二多晶硅岛状物与该些第三多晶硅岛状物上方；以及

在该基板上形成该第一保护层，以覆盖该些第一栅极、该些第二栅极与该些第三栅极。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，在形成该些第一栅极、该些第二栅极与该些第三栅极之后，还包括进行一轻掺杂漏极离子注入工艺，以在各该第二源极/漏极与该第二沟道区之间形成一第二轻掺杂漏极，以及在各该第三源极/漏极与该第三沟道区之间形成一第三轻掺杂漏极。