[发明专利]形成金属凸块的方法有效
申请号: | 200610126107.6 | 申请日: | 2006-08-22 |
公开(公告)号: | CN101131948A | 公开(公告)日: | 2008-02-27 |
发明(设计)人: | 王圣民;张硕训;张国华;黄吉志;陈志澄 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人: | 翟羽;刘志华 |
地址: | 台湾省高雄市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 金属 方法 | ||
技术领域
本发明关于一种形成金属凸块的方法,特别是一种应用于小间距封装制程之形成金属凸块的方法。
背景技术
请参阅图1A至图1E,为一种已知的形成金属凸块之制造方法的流程剖面示意图。首先,如图1A所示,提供基板100,该基板100上设有数个导电焊垫102。接着,在基板100上形成图案化的防焊层110。其中,形成此图案化之防焊层110的方法即先在基板100上披覆一层防焊层110,然后通过图案化步骤(例如曝光显影)来形成数个第一开口112,并且露出导电焊垫102。之后,在图案化之防焊层110上形成导电层120,该导电层120覆盖图案化之防焊层110的第一开口112的侧壁以及导电焊垫102。接着,如图1B所示,在导电层120上形成图案化的光阻层130,该图案化之光阻层130具有数个第二开口132以露出导电层120。此外,形成此图案化的光阻层130的方法即先在导电层120上披覆一层光阻层130,然后通过图案化步骤(例如曝光显影)来形成数个第二开口132,并且露出部分导电层120。然后,如图1C所示,在露出的导电层130上电镀一金属层140,以填满第一开口112,但不完全填满第二开口132。接着,如图1D所示,移除图案化之光阻层130,并露出剩余的导电层120以及金属层140。然后,对剩余的导电层120与金属层140进行全面的蚀刻处理,由于导电层120的厚度很薄,所以导电层120很快就被蚀刻移除,只留下金属层140以及位在金属层140下方的导电层120,如图1D所示。接着,如图1E所示,进行回焊,以使剩余的导电层120以及金属层140形成数个金属凸块150。
在上述现有技术中,由于金属层140的电镀厚度的均匀性不佳,造成最后形成的金属凸块150的大小均匀性也不理想,因此造成封装制程时产品的良率下降。在现今要求小间距(fine pitch)的封装制程中,现有之制程方法不仅产品品质无法达到客户的要求,而且封装制程之产品良率也难以提升,因此导致制造成本的提高。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术的不足,提供一种改良之形成金属凸块的方法,来解决上述现有技术之制程成本的增加与产品良率下降的问题,以达到提升制程良率与降低制程成本的目的。
本发明的技术要点是:提供一种形成金属凸块的方法,其至少包含以下步骤:提供一个基板,其上设有数个导电焊垫;在基板上形成图案化的防焊层,其中该防焊层具有数个第一开口以露出导电焊垫;在该防焊层上形成图案化的光阻层,该光阻层具有数个第二开口以露出导电焊垫;在该光阻层上形成导电层,该导电层覆盖该光阻层之第二开口的侧壁、该防焊层之第一开口的侧壁以及导电焊垫;在导电层上电镀金属层,该金属层填满第一开口与第二开口;进行平坦化,以去除该光阻层上的导电层以及金属层,只留下位于第一开口与第二开口中的导电层以及金属层;移除该光阻层,并露出剩余的导电层以及金属层;以及进行回焊,以使剩余的导电层以及金属层形成数个金属凸块。
上述之平坦化步骤可以采用化学机械研磨。
本发明之形成金属凸块的方法,通过电镀金属层来完全填满该光阻层之第二开口,并且进行一个平坦化步骤来平坦化此金属层,如此即可确保所有在第二开口内的金属层皆具有实质相同的高度,因而可解决因金属层的高度不一所造成的金属凸块大小均匀性不佳的问题。
所以本发明与现有之相关制程相比,本发明所采用的方法不仅较适用于小间距的封装制程,更可有效降低封装制造的时间与成本。
附图说明
图1A至图1E是一种已知之形成金属凸块的方法的流程剖面示意图;以及
图2A至图2E是本发明之形成金属凸块的方法的流程剖面示意图。
具体实施方式
现结合说明书附图,对本发明一种形成金属凸块的方法作进一步的详细说明。
请参阅图2A至图2E,为本发明之形成金属凸块的方法之流程剖面示意图。本发明之方法包括以下步骤:首先,如图2A所示,提供基板200,该基板200上设有数个导电焊垫202。在本发明之较佳实施例中,该基板200为一印刷电路板,其它具有电路之基板也可以使用。另外,还可在这些导电焊垫202上额外再形成保护层204,以增加导电焊垫202的抗氧化性。保护层204的材质可以是金、镍、铜、银、锡、铅、铋、钯、铝、铁、镉、锌以及其组合物中的一种,或者是有机保焊剂(OSP)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造