[发明专利]非易失性存储器的制造方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器的制造方法，包括：

提供衬底，该衬底上已形成有多个存储器装置，在各存储器装置的一侧具有第一开口，且各第一开口位于相邻两个存储器装置之间；

在该第一开口侧壁和底部形成第一介电层；

在各第一开口两侧侧壁的该第一介电层上分别形成方块状堆叠结构，各方块状堆叠结构由下而上包括导体层和填充层；

在各第一开口中各方块状堆叠结构一侧的侧壁上形成间隙壁；并且

在各第一开口中该间隙壁所暴露的该衬底中形成第一掺杂区。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器的制造方法，其中该方块状堆叠结构的形成方法，包括：

在该衬底上形成共形的该第一介电层并覆盖该存储器装置；

在该第一介电层上形成共形的该导体层；

在该导体层上形成第二介电层，该第二介电层填满该第一开口；

移除部分该第二介电层、部分该导体层与部分该第一介电层，以暴露出该存储器装置；

移除位于各第一开口两侧侧壁上的部分该导体层，而在各存储器装置与该第二介电层之间各形成第二开口；

在该第二开口中形成填满该第二开口的该填充层；

移除位于该第一开口中的第二介电层，而暴露出部分该导体层；并且

移除所暴露的该导体层。

3.如权利要求2所述的非易失性存储器的制造方法，其中在该第二开口中形成填满该第二开口的该填充层的方法，包括：

在该衬底上形成填充材料层，该填充材料层填满该第二开口；并且

移除该第二开口以外的该填充材料层。

4.如权利要求3所述的非易失性存储器的制造方法，其中该第二开口以外的该填充材料层的移除方法为化学机械研磨法或回蚀刻法。

5.如权利要求1所述的非易失性存储器的制造方法，其中该填充层的材料包括金属。

6.如权利要求1所述的非易失性存储器的制造方法，其中该填充层的材料包括氧化硅。

7.如权利要求1所述的非易失性存储器的制造方法，其中该间隙壁的形成方法，包括：

在该衬底上形成间隙壁材料层，覆盖该存储器装置和该方块状堆叠结构；并且

对该间隙壁材料层进行回蚀刻工艺。

8.如权利要求1所述的非易失性存储器的制造方法，其中各存储器装置为堆叠栅极结构，各堆叠栅极结构由下而上包括穿遂介电层、浮置栅极、栅间介电层和控制栅极。

9.如权利要求8所述的非易失性存储器的制造方法，其中各堆叠栅极结构还包括顶盖层，配置在该控制栅极上。

10.如权利要求1所述的非易失性存储器的制造方法，其中在各存储器装置的另一侧具有第三开口，各第三开口位于相邻两个存储器装置之间，且该第三开口的宽度小于该第一开口的宽度。

11.如权利要求10所述的非易失性存储器的制造方法，还包括在该第三开口下方的该衬底中形成第二掺杂区。

12.一种非易失性存储器的制造方法，包括：

提供衬底，该衬底中已形成有分别配置于多个沟槽中的多个存储器装置，该存储器装置突出于该衬底表面，且在相邻两个该存储器装置之间具有第一开口；

在该第一开口侧壁和底部形成第一介电层；

在各第一开口两侧侧壁的该第一介电层上分别形成方块状堆叠结构，各方块状堆叠结构由下而上包括导体层和填充层；

在各第一开口中各方块状堆叠结构一侧的侧壁上形成间隙壁；并且

在各第一开口中该间隙壁所暴露的该衬底中形成第一掺杂区。