[发明专利]一种电子束对准标记的制作方法及其应用有效

专利信息
申请号: 200610127868.3 申请日: 2006-09-22
公开(公告)号: CN101149563A 公开(公告)日: 2008-03-26
发明(设计)人: 刘果果;和致经;魏珂;刘新宇;郑英奎 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F9/00;H01L21/00;H01L21/027;H01L21/768;H01L21/28;H01J37/304
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 周国城
地址: 100029*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 电子束 对准 标记 制作方法 及其 应用
【权利要求书】:

1.一种电子束对准标记的制作方法,其特征在于,该方法包括:

采用Ti/Pt金属结构作为对准标记的金属结构,对衬底材料采用光刻方法进行光刻,在衬底材料最顶层的铝镓氮外延层形成电子束对准标记。

2.根据权利要求1所述的制作电子束对准标记的方法,其特征在于,该方法进一步包括:蒸发标记金属结构Ti/Pt。

3.一种利用电子束对准标记制作有效栅线条的方法,其特征在于,该方法具体包括:

A、对衬底材料采用光刻方法进行光刻,形成电子束对准标记,并蒸发标记金属Ti/Pt;

B、对衬底材料采用光刻方法进行光刻,形成源漏图形,并蒸发源漏金属;

C、退火合金,将源漏金属与衬底材料形成欧姆接触;

D、有源区离子注入隔离;

E、精确辨认对准标记,电子束光刻栅版,完成栅线条曝光;

F、蒸发栅金属,形成有效栅线条。

4.根据权利要求3所述的利用电子束对准标记制作有效栅线条的方法,其特征在于,

步骤A中所述采用的光刻方法为电子束直写光刻,或为普通光学光刻方法;

步骤A中所述标记金属Ti/Pt的金属组分为:Ti/Pt=60/1000。

5.根据权利要求3所述的利用电子束对准标记制作有效栅线条的方法,其特征在于,步骤B中所述采用的光刻方法为普通光学光刻方法。

6.根据权利要求3所述的利用电子束对准标记制作有效栅线条的方法,其特征在于,步骤C中所述退火温度为750至830℃。

7.根据权利要求3所述的利用电子束对准标记制作有效栅线条的方法,其特征在于,所述步骤E包括:

精确辨认对准标记,以电子束对准标记为基准,电子束直写制作细栅线条,与源漏金属实现精确套刻,完成栅线条曝光。

8.根据权利要求3所述的利用电子束对准标记制作有效栅线条的方法,其特征在于,该方法进一步包括:

G、金属布线,形成有效器件,对金属布线后的器件进行测试分析。

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