[发明专利]一种电子束对准标记的制作方法及其应用有效
申请号: | 200610127868.3 | 申请日: | 2006-09-22 |
公开(公告)号: | CN101149563A | 公开(公告)日: | 2008-03-26 |
发明(设计)人: | 刘果果;和致经;魏珂;刘新宇;郑英奎 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F9/00;H01L21/00;H01L21/027;H01L21/768;H01L21/28;H01J37/304 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100029*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电子束 对准 标记 制作方法 及其 应用 | ||
1.一种电子束对准标记的制作方法,其特征在于,该方法包括:
采用Ti/Pt金属结构作为对准标记的金属结构,对衬底材料采用光刻方法进行光刻,在衬底材料最顶层的铝镓氮外延层形成电子束对准标记。
2.根据权利要求1所述的制作电子束对准标记的方法,其特征在于,该方法进一步包括:蒸发标记金属结构Ti/Pt。
3.一种利用电子束对准标记制作有效栅线条的方法,其特征在于,该方法具体包括:
A、对衬底材料采用光刻方法进行光刻,形成电子束对准标记,并蒸发标记金属Ti/Pt;
B、对衬底材料采用光刻方法进行光刻,形成源漏图形,并蒸发源漏金属;
C、退火合金,将源漏金属与衬底材料形成欧姆接触;
D、有源区离子注入隔离;
E、精确辨认对准标记,电子束光刻栅版,完成栅线条曝光;
F、蒸发栅金属,形成有效栅线条。
4.根据权利要求3所述的利用电子束对准标记制作有效栅线条的方法,其特征在于,
步骤A中所述采用的光刻方法为电子束直写光刻,或为普通光学光刻方法;
步骤A中所述标记金属Ti/Pt的金属组分为:Ti/Pt=60/1000。
5.根据权利要求3所述的利用电子束对准标记制作有效栅线条的方法,其特征在于,步骤B中所述采用的光刻方法为普通光学光刻方法。
6.根据权利要求3所述的利用电子束对准标记制作有效栅线条的方法,其特征在于,步骤C中所述退火温度为750至830℃。
7.根据权利要求3所述的利用电子束对准标记制作有效栅线条的方法,其特征在于,所述步骤E包括:
精确辨认对准标记,以电子束对准标记为基准,电子束直写制作细栅线条,与源漏金属实现精确套刻,完成栅线条曝光。
8.根据权利要求3所述的利用电子束对准标记制作有效栅线条的方法,其特征在于,该方法进一步包括:
G、金属布线,形成有效器件,对金属布线后的器件进行测试分析。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610127868.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:水下开盖机构
- 下一篇:防α气溶胶气衣粘合工艺