[发明专利]堆栈结构以及以此堆栈结构图案化的方法

权利要求书

1.一种图案化的方法，用以在材料层中形成开口图案，该开口图案具有预定的开口宽度，包括：

提供基底，该基底上已形成该材料层；

在该材料层上形成底层；

在该底层上形成多硅有机层；

在该多硅有机层上形成光致抗蚀剂层，该光致抗蚀剂层的厚度大于该多硅有机层厚度的2倍，但小于该底层的厚度；

图案化该光致抗蚀剂层，在该光致抗蚀剂层中形成该开口图案；

以该光致抗蚀剂层为掩模，蚀刻该多硅有机层，使该开口图案转移至该多硅有机层；

以该多硅有机层为掩模，蚀刻该底层，使该开口图案转移至该底层，当该开口图案完全转移至该底层时，该光致抗蚀剂层已被蚀刻殆尽；以及

以该底层为掩模，蚀刻该材料层，使该开口图案转移至该材料层，当该开口图案完全转移至该材料层时，该多硅有机层已被蚀刻殆尽。

2.如权利要求1所述的图案化的方法，其中该材料层与该底层之间还包括硬掩模层，其厚度略大于该多硅有机层的厚度，且在蚀刻该底层之后，蚀刻该材料层之前，还包括以该多硅有机层与该底层为掩模，蚀刻该硬掩模层，使该开口图案转移至该硬掩模层，当该开口图案完全转移至该硬掩模层时，该多硅有机层已被蚀刻殆尽。

3.如权利要求2所述的图案化的方法，其中该底层的厚度小于该预定的开口宽度的3倍。

4.如权利要求2所述的图案化的方法，其中在该光致抗蚀剂层中形成该开口图案之后，将该开口图案转移至该多硅有机层之前，以及/或是在蚀刻该硬掩模层之后，使该开口图案转移至该材料层之前，还包括修整步骤，以改变该开口图案的宽度。

5.如权利要求2所述的图案化的方法，其中该材料层包括导体层且该方法还包括：

以该底层为掩模，蚀刻该导体层，使该开口图案转移至该导体层；以及

移除该底层。

6.如权利要求2所述的图案化的方法，其中该材料层与该基底之间还包括导体层且该方法还包括：

去除该底层；以及

以该硬掩模层为掩模，使该开口图案转移至该导体层。

7.如权利要求2所述的图案化的方法，其中该硬掩模层的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氧化硅或氮碳化硅。

8.如权利要求2所述的图案化的方法，其中该光致抗蚀剂层的厚度为500至2000埃左右；该多硅有机层的厚度为250至500埃左右；该底层的厚度为1000至2500埃左右；该掩模层的厚度为为250至900埃左右。

9.如权利要求1所述的图案化的方法，其中该底层的厚度小于该预定的开口宽度的3倍。

10.如权利要求1所述的图案化的方法，其中该含硅有机层是以旋转涂布方式形成，且其厚度为旋转涂布所能形成的最小厚度。

11.如权利要求1所述的图案化的方法，其中该光致抗蚀剂层的厚度为500至2000埃左右；该多硅有机层的厚度为250至500埃左右；该底层的厚度为1000至2500埃左右。

12.如权利要求1所述的图案化的方法，其中该多硅有机层的材料包括硅含量为5-30wt.％的有机硅聚合物。

13.如权利要求1所述的图案化的方法，其中该底层包括清漆树脂。

14.如权利要求13所述的图案化的方法，其中该底层包括I-线光致抗蚀剂层。

15.如权利要求1所述的图案化的方法，其中该光致抗蚀剂层图案化的方法包括以浸润式光刻工艺进行曝光，且该光致抗蚀剂层为防水光致抗蚀剂层，或是顶面覆盖防水层的光致抗蚀剂材料层。

16.如权利要求1所述的图案化的方法，其中在该光致抗蚀剂层中形成该开口图案之后，将该开口图案转移至该多硅有机层之前，以及/或是在蚀刻该底层之后，使该开口图案转移至该材料层之前，还包括修整步骤，以改变该开口图案的开口宽度。