[发明专利]有机电激发光二极体的驱动电路及其驱动方法有效

专利信息
申请号: 200610128680.0 申请日: 2006-09-08
公开(公告)号: CN101140733A 公开(公告)日: 2008-03-12
发明(设计)人: 廖文堆;许景富;罗新台 申请(专利权)人: 胜华科技股份有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32;G09G3/30;G09G3/20;H05B33/08;H05B33/14
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 章社杲
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 机电 激发 二极体 驱动 电路 及其 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种有机电激发光显示器的技术,特别是涉及主动式单位像素有机电激发光二极体的驱动技术,稳定提供电流的时间,延长显示面板的使用时间。

背景技术

有机电激发光显示器(Organic Light-Emitting Diodes,OLED)根据驱动方式可分为被动式OLED(Passive Matrix OLED;PMOLED)与主动式OLED(Active Matrix OLED;AMOLED)。在主动驱动方式下,OLED并不需要驱动到非常高的亮度,即可达到较佳的寿命表现,以及高分辨率的需求。因此,OLED结合薄膜晶体管(TFT)实现主动式驱动OLED技术,可符合对目前显示器市场上对于画面播放的流畅度,以及分辨率越来越高的要求,充分展现OLED上述的优越特性。

由于OLED材料在发光效率上的不断改进,于是使用非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)元件作为驱动OLED的平台已不再是遥不可及。另外a-Si TFT的制作过程与设备相对成熟,因此可以提供较低的制造成本,大大降低主动式OLED的成本。

虽然a-SiTFT有低成本的绝对优势,但若要将a-Si TFT应用在驱动OLED上,仍有技术上的难题需要克服,其中有两个目标需要达到:一为提高a-Si TFT元件的稳定性(Stability),二为增加a-SiTFT元件的电流驱动能力(Capability)。

传统驱动电路技术如图1所示,是传统显示面板的单位像素驱动电路的示意图。每单位像素(Pixel)为2T1C(两个TFT晶体管与一个电容)的电路结构,使用的开关及驱动晶体管皆为N通道(N-channel)a-Si TFTs,其中驱动晶体管12的漏极接至电压源Vdd,源极接至有机发光二极体14的阳极,有机发光二极体14的阴极则耦接至系统的低电位Vss(例如接地成0电位)。此外,开关晶体管11的栅极接入扫描信号Vscan,源极接入数据信号Vdata,且开关晶体管11的漏极耦接至驱动晶体管12的栅极以及储存电容13的一端,而储存电容13的另一端则耦接至参考电位Vref。

基本动作原理为:通过扫描信号Vscan控制开关晶体管11导通后,会使数据线上代表影像灰阶数据的数据信号Vdata输入至储存电容13的一端,用来控制驱动晶体管12的栅极,而驱动晶体管12在不同的栅极电压Vg下会产生不同的栅-源极电压Vgs(即Vg-Vs),使驱动晶体管12产生不同大小的驱动电流ID。若要使驱动晶体管12能产生驱动电流ID,则驱动晶体管12的栅-源极电压Vgs必须大于驱动晶体管12的临界电压值Vth。

然而,上述单位像素电路在操作长时间情况时,有机发光二极体14的驱动电压VOLED会随着时间而变大,如图2所示。因此会造成该驱动晶体管12的偏压条件减少,进而降低驱动电流ID的输出,间接导致流经该有机发光二极体14的电流量减少,如图3所示。该有机发光二极体14与驱动电流ID关系式可以表示如下:

<mrow><msub><mi>I</mi><mi>D</mi></msub><mo>=</mo><mfrac><mn>1</mn><mn>2</mn></mfrac><mi>k</mi><msup><mrow><mo>(</mo><mi>Vgs</mi><mo>-</mo><mi>Vth</mi><mo>)</mo></mrow><mn>2</mn></msup><mo>-</mo><mo>-</mo><mo>-</mo><mrow><mo>(</mo><mn>1</mn><mo>)</mo></mrow></mrow>

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