[发明专利]温差电一体化单体材料制备方法有效
申请号: | 200610130266.3 | 申请日: | 2006-12-15 |
公开(公告)号: | CN101199997A | 公开(公告)日: | 2008-06-18 |
发明(设计)人: | 龙春泉;阎勇;任保国 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
主分类号: | B22F7/02 | 分类号: | B22F7/02;B22F3/02;H01L35/34 |
代理公司: | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 | 代理人: | 李凤 |
地址: | 300381天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 温差 一体化 单体 材料 制备 方法 | ||
1.温差电一体化单体材料制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
1)准备好石墨材料加工的由模套、上压头和下压头构成的模具,下压头放入模套孔底部后,将电极材料粉末放入模具模腔,振荡平整;
2)在步骤1)中电极材料粉末上面均匀撒入过渡层粉末;
3)在步骤2)中过渡层粉末上面装入温差电材料粉末,振荡平整,并用模具的上压头压实;
4)在步骤3)中温差电材料粉末上面加入步骤2)所述的过渡层粉末后,再加入步骤1)所述的电极材料粉末,然后放置好上压头;
5)将准备好的上述模具进行压制;
6)将压制后的模具放入退火炉中进行退火处理,保温后取出,即制成温差电一体化单体材料。
2.根据权利要求1所述的温差电一体化单体材料制备方法,其特征在于:所述步骤5)中的模具放入液压机上进行压制。
3.根据权利要求1所述的温差电一体化单体材料制备方法,其特征在于:所述步骤4)所用的温差电材料粉末为PbTe基,BiTe基,SiGe基、热电氧化物、填充Skutterdites化合物。
4.根据权利要求1所述的温差电一体化单体材料制备方法,其特征在于:所述步骤1)中电极材料粉末为:铜、钼、钨、镍、银、铝中一种或多种。
5.根据权利要求1所述的温差电一体化单体材料制备方法,其特征在于:所述步骤2)中过渡层粉末为厚度0.5mm-2mm的银粉、钴粉、铁粉、镍粉中一种或多种。
6.根据权利要求1所述的温差电一体化单体材料制备方法,其特征在于:所述步骤6)中如果温差电材料为PbTe基,则退火温度为700℃,保温10小时。
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