[发明专利]反应腔室的清洁方法及保护膜的形成方法及保护用晶片

权利要求书

1.一种反应腔室的清洁方法，于该反应腔室中具有晶片承载座，该清洁方法包括：

利用清洁气体对该反应腔室进行清洁；以及

于该反应腔室的内表面形成保护膜，其中

在形成该保护膜时，于该晶片承载座上方提供保护用晶片，且该保护用晶片与该晶片承载座之间具有距离，同时于该保护用晶片与该晶片承载座之间通入冷却气体。

2.如权利要求1所述的反应腔室的清洁方法，其中使该保护用晶片与该晶片承载座之间具有该距离的方法包括于该晶片承载座上提供多个支撑针，以支撑该保护用晶片。

3.如权利要求1所述的反应腔室的清洁方法，包括由该晶片承载座提供该冷却气体。

4.如权利要求1所述的反应腔室的清洁方法，其中该冷却气体包括氦气。

5.如权利要求1所述的反应腔室的清洁方法，其中该晶片承载座包括静电吸座。

6.如权利要求1所述的反应腔室的清洁方法，其中该晶片承载座的材料包括陶瓷材料。

7.如权利要求1所述的反应腔室的清洁方法，其中该保护用晶片的材料包括陶瓷材料。

8.如权利要求1所述的反应腔室的清洁方法，其中该保护用晶片包括第一遮蔽体，用以遮蔽该晶片承载座的晶片承载面。

9.如权利要求8所述的反应腔室的清洁方法，其中该第一遮蔽体包括圆板。

10.如权利要求8所述的反应腔室的清洁方法，其中该保护用晶片更包括连接于该第一遮蔽体周围的第二遮蔽体，用以遮蔽连接于该连接于该晶片承载面周围的侧面。

11.如权利要求10所述的反应腔室的清洁方法，其中该第二遮蔽体包括环状侧壁。

12.如权利要求1所述的反应腔室的清洁方法，其中该保护膜的材料包括氧化物。

13.如权利要求1所述的反应腔室的清洁方法，其中该保护膜的形成方法包括化学气相沉积法。

14.如权利要求1所述的反应腔室的清洁方法，其中该清洁气体包括NF₃。

15.如权利要求1所述的反应腔室的清洁方法，其中该反应腔室包括化学气相沉积腔室。

16.如权利要求1所述的反应腔室的清洁方法，其中该反应腔室包括干蚀刻腔室。

17.一种保护用晶片，适用于反应腔室的清洁工艺中，该反应腔室中具有晶片承载座，该晶片承载座具有晶片承载面及连接于该晶片承载面周围的侧面，该保护用晶片包括：

第一遮蔽体，用以遮蔽该晶片承载座的该晶片承载面；以及

第二遮蔽体，连接于该第一遮蔽体周围，用以遮蔽连接于该晶片承载面周围的该侧面。

18.如权利要求15所述的保护用晶片，其中该第一遮蔽体包括圆板。

19.如权利要求16所述的保护用晶片，其中该第二遮蔽体包括环状侧壁。

20.如权利要求16所述的保护用晶片，其中该保护用晶片的材料包括陶瓷材料。

21.一种保护膜的形成方法，适用于反应腔室的内表面形成保护膜，该反应腔室中具有晶片承载座，该沉积方法包括在形成该保护膜时，于该晶片承载座上方提供保护用晶片，且该保护用晶片与该晶片承载座之间具有距离，同时于该保护用晶片与该晶片承载座之间通入冷却气体。

22.如权利要求21所述的保护膜的形成方法，其中该保护膜的形成方法包括化学气相沉积法。

23.如权利要求21所述的保护膜的形成方法，其中使该保护用晶片与该晶片承载座之间具有该距离的方法包括于该晶片承载座上提供多个支撑针，以支撑该保护用晶片。

24.如权利要求21所述的保护膜的形成方法，包括由该晶片承载座提供该冷却气体。

25.如权利要求21所述的保护膜的形成方法，其中该冷却气体包括氦气。

26.如权利要求21所述的保护膜的形成方法，其中该保护用晶片的材料包括陶瓷材料。