[发明专利]非易失性存储器的多电平单元编程方法

权利要求书

1.一种编程一四位氮化物捕获存储器单元中的一多位单元内的一多电平单元的方法，该方法包括：

进行该氮化物存储器单元内的电平三的编程，其中该电平三的编程具有一第三起始电压电平；

在该电平三编程后，进行该氮化物捕获存储器单元内的电平二的编程，其中该电平二的编程具有第二起始电压电平；及

在该电平二编程后，进行该氮化物捕获存储器单元内的电平一的编程，其中该电平一的编程具有第一起始电压电平；

其中该第三起始电压电平高于该第二起始电压电平，且其中该第二起始电压电平高于该第一起始电压电平。

2.如权利要求1所述的方法，还包括如果该电平三的编程已经通过电平三确认测试，进行该电平二的编程。

3.如权利要求1所述的方法，还包括如果该电平二的编程已经通过电平二确认测试，进行该电平一的编程。

4.如权利要求1所述的方法，还包括确认该氮化物捕获存储器单元内的电平三的编程；确认该氮化物捕获存储器单元内的电平二的编程；及确认该氮化物捕获存储器单元内的电平一的编程。

5.一种编程一存储器阵列中氮化物捕获存储器单元内的多电平单元的方法，该方法包括：

进行该氮化物捕获存储器单元内的电平三的编程；

在该电平三编程后，进行该氮化物捕获存储器单元内的电平一的编程及电平二的编程，其中该电平二编程被编程至该电平一编程；及

在该电平一编程后，以一个起始电压从该电平一的编程开始进行该氮化物捕获存储器单元内的电平二的编程；

其中该电平三编程的起始电压电平高于该电平二编程的起始电压电平，且其中该电平二编程的起始电压电平高于该电平一编程的起始电压电平。

6.如权利要求5所述的方法，还包括如果该电平三编程已经通过电平三确认测试，则进行至该电平一的编程。

7.如权利要求6所述的方法，还包括如果该电平一编程已经通过电平一确认测试，则进行该电平二的编程。

8.如权利要求7所述的方法，还包括确认该氮化物捕获存储器单元内电平三的编程；确认该氮化物捕获存储器单元内电平一的编程；及确认该氮化物捕获存储器单元内电平二的编程。

9.一种在一具有电平一编程、电平二编程及电平三编程的存储器阵列内的一氮化物捕获存储器单元的一多位单元里进行一多电平单元编程的方法，该方法包括：

进行该氮化物捕获存储器单元内的电平三的编程；

在该电平三编程后，决定该氮化物捕获存储器单元是否具有该电平一或该电平二。

10.如权利要求9所述的方法，还包括如果该氮化物捕获存储器单元具有该电平一或该电平二，则进行该电平二的编程。

11.如权利要求10所述的方法，还包括进行电平一的编程。

12.如权利要求9所述的方法，还包括如果该氮化物捕获存储器单元不具有电平一或电平二，则进行该电平一编程和该电平二编程。

13.如权利要求12所述的方法，还包括自该电平一编程进行该电平二的编程。

14.如权利要求9所述的方法，还包括如果该存储器阵列内的一编程单元具有该电平一或该电平二，则进行该电平二编程。

15.如权利要求9所述的方法，还包括如果该存储器阵列内的一编程单元不具有该电平一或该电平二，则进行该电平一编程和该电平二编程。