[发明专利]从非易失性存储器读取数据的方法及装置

权利要求书

1、一种非易失性存储器电路，包含：

虚拟接地阵列，包含排列成多个行及多个列的多个非易失性存储器单元，每个该非易失性存储器单元包含：栅极、第一载流端以及第二载流端；

切换电路，该切换电路将该非易失性存储器单元的该第一载流端耦合于参考电位并且将该非易失性存储器单元的该第二载流端耦合于感测放大器与预充电电位；以及

控制逻辑电路，该控制逻辑电路在响应读取指令时，控制该切换电路及该虚拟接地阵列，并将该参考电位提供给该虚拟接地阵列中的第一及第二非易失性存储器单元的该第一载流端，和将该预充电电位提供该第一及该第二非易失性存储器单元的该第二载流端，以降低与该读取指令相关的漏电流；以及

感测放大器，测量流经该虚拟接地阵列中的该第一及该第二非易失性存储器单元的电流，以响应该读取指令。

2、如权利要求1所述的一种非易失性存储器电路，其中该虚拟接地阵列中的该第一及第二非易失性存储器单元位于该多个列的同一列。

3、如权利要求1所述的一种非易失性存储器电路，其中该虚拟接地阵列中的该第一及第二非易失性存储器单元位于该多个列的同一列，并以多个行中至少两行分隔。

4、如权利要求1所述的一种非易失性存储器电路，其中该虚拟接地阵列中的该第一及第二非易失性存储器单元位于该多个列的同一列，以及

其中在响应该读取指令时，流经该虚拟接地阵列中的该第一及该第二非易失性存储器单元的该电流包含流经该虚拟接地阵列中的该第一非易失性存储器单元的第一电流及流经该虚拟接地阵列中的该第二非易失性存储器单元的第二电流，该第一电流及该第二电流在同一列中以相反方向流动。

5、如权利要求1所述的一种非易失性存储器电路，其中该虚拟接地阵列中的该第一及第二非易失性存储器单元在该多个行的不同行。

6、如权利要求1所述的一种非易失性存储器电路，其中该虚拟接地阵列中的该第一及第二非易失性存储器单元的所述第二载流端是该第一及第二非易失性存储器单元的漏极端，以及该第一及第二非易失性存储器单元的所述第一载流端为该第一及第二非易失性存储器单元的源极端。

7、如权利要求1所述的一种非易失性存储器电路，更包含：

多个位线，与该切换电路以及该虚拟接地阵列耦合；

其中，为响应该读取指令，在所述多个位线中，只有与该第一及第二非易失性存储器单元的所述第二载流端连接的位线与该预充电电位耦合。

8、如权利要求1所述的一种非易失性存储器电路，其中该参考电位是地。

9、如权利要求1所述的一种非易失性存储器电路，还包括除所述感测放大器之外的多个感测放大器，与该切换电路耦合。

10、如权利要求1所述的一种非易失性存储器电路，其中该非易失性存储器单元在电荷捕捉材料上存储数据。

11、如权利要求1所述的一种非易失性存储器电路，其中该非易失性存储器单元在浮动栅极材料上存储数据。

12、如权利要求1所述的一种非易失性存储器电路，其中该非易失性存储器单元在奈米结晶材料上存储数据。

13、一种操作非易失性存储器单元的虚拟接地阵列的方法，该非易失性存储器单元的该虚拟接地阵列排列成多个列及多个行，每个非易失性存储器单元包含：栅极、第一载流端及第二载流端，该方法包含：

为响应读取指令：

将该虚拟接地阵列中的第一及第二非易失性存储器单元的所述第一载流端与参考电位耦合；

通过将该第一及第二非易失性存储器单元的所述第二载流端与预充电电位耦合，降低与该读取指令相关的漏电流；以及

通过与该第一及第二非易失性存储器单元的所述第二载流端耦合的感测放大器，测量流经该第一及第二非易失性存储器单元的电流。

14、如权利要求13所述的一种操作非易失性存储器单元的虚拟接地阵列的方法，其中该虚拟接地阵列中的该第一及第二非易失性存储器单元位于该多个列的同一列。

15、如权利要求13所述的一种操作非易失性存储器单元的虚拟接地阵列的方法，其中该虚拟接地阵列中的该第一及第二非易失性存储器单元位于该多个列的同一列，并且以多个行中的至少两行分隔。