[发明专利]射频测试键结构有效
申请号: | 200610136242.9 | 申请日: | 2006-10-19 |
公开(公告)号: | CN101165889A | 公开(公告)日: | 2008-04-23 |
发明(设计)人: | 李岳勋;陈正雄;郭慈蕙 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射频 测试 结构 | ||
1.一种位于切割道区域的射频测试键结构,包括:
基底,该基底上定义有至少一个切割道区域;
待测元件,位于该基底上的该切割道区域内,包括至少二个信号连接端与至少二个接地连接端;和
至少二个金属层,位于该切割道区域内,该些金属层包括底部金属层位于该基底上方,与顶部金属层位于该底部金属层上方,该顶部金属层为成片的金属垫,其上定义有至少二个信号垫区域与至少二个接地垫区域,该些信号垫区域电连接至该待测元件的该些信号连接端,该些接地垫区域电连接至该待测元件的该些接地连接端,该些信号垫区域与该些接地垫区域呈单行排列而平行于该切割道区域,且该顶部金属层包括至少一个绝缘开口位于该些信号垫区域与该些接地垫区域之间以及该些信号垫区域彼此之间,使该些信号垫区域与该些接地垫区域分隔,并使该些信号垫区域彼此分隔。
2.如权利要求1所述的射频测试键结构,其中该些信号垫区域与该些接地垫区域的排列由左至右依次为该信号垫区域、该接地垫区域、另一该信号垫区域与另一该接地垫区域。
3.如权利要求1所述的射频测试键结构,其中该些信号垫区域与该些接地垫区域的排列由左至右依次为该信号垫区域、该接地垫区域、另一该接地垫区域与另一该信号垫区域。
4.如权利要求1所述的射频测试键结构,其中该些信号垫区域与该些接地垫区域的排列由左至右依次为该接地垫区域、该信号垫区域、另一该信号垫区域与另一该接地垫区域。
5.如权利要求1所述的射频测试键结构,其中该顶部金属层上定义有二个信号垫区域与三个接地垫区域,该些信号垫区域与该些接地垫区域的排列由左至右依次为该接地垫区域、该信号垫区域、该接地垫区域、另一该信号垫区域与另一该接地垫区域。
6.如权利要求1所述的射频测试键结构,其中该顶部金属层上定义有二个信号垫区域与四个接地垫区域,该些信号垫区域与该些接地垫区域的排列由左至右依次为该接地垫区域、该信号垫区域、该接地垫区域、该接地垫区域、另一该信号垫区域与另一该接地垫区域。
7.如权利要求1所述的射频测试键结构,其中该些接地垫区域通过多个导电插塞与该底部金属层而电连接至该待测元件的该些接地连接端。
8.如权利要求1所述的射频测试键结构,其中该些信号垫区域通过该顶部金属层而电连接至该待测元件。
9.如权利要求1所述的射频测试键结构,其中该顶部金属层具有框形结构,该些接地垫区域通过该顶部金属层的该框形结构互相电连接。
10.如权利要求1所述的射频测试键结构,其中该底部金属层包括狭长的矩形金属片。
11.如权利要求1所述的射频测试键结构,其中该些金属层还包括至少一个内部金属层,位于该顶部金属层与该底部金属层之间,电连接该些接地垫区域与该底部金属层。
12.如权利要求1所述的射频测试键结构,其中该绝缘开口延伸而环绕在各该信号垫区域周围。
13.如权利要求6所述的射频测试键结构,其中该些接地垫区域由左至右分别为边缘接地垫区域、中央接地垫区域、中央接地垫区域与边缘接地垫区域,该顶部金属层总共具有三个该绝缘开口,二个该绝缘开口分别环绕在各该中央接地垫区域周围,而另一该绝缘开口环绕在该些信号垫区域与该些中央接地垫区域周围,并且通过该些中央接地垫区域之间。
14.如权利要求1所述的射频测试键结构,其中该绝缘开口使得该顶部金属层邻接于该待测元件的部分呈现由边缘至该待测元件渐缩状。
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