[发明专利]有机电激发光元件的制造方法及影像显示系统

权利要求书

1.一种有机电激发光元件的制造方法，包括：

提供基板，该基板包括含有多个像素的像素区域，其中每一像素内包括第一元件区域与第二元件区域；

形成非晶硅层于该基板上方；

形成保护膜于该第二元件区域内的部分该非晶硅层上方；

对该非晶硅层进行准分子激光退火工艺，以将

该非晶硅层转化为多晶硅层；以及

图案该多晶硅层，以在该第一元件区域形成第一图案化多晶硅层，及在该第二元件区域形成第二图案化多晶硅层，其中该第一图案化多晶硅层的晶粒尺寸大于该第二图案化多晶硅层，藉此形成有机电激发光元件。

2.如权利要求1所述的有机电激发光元件的制造方法，其中该保护膜包括以硅为基材的材料。

3.如权利要求1所述的有机电激发光元件的制造方法，其中在该准分子激光退火工艺中，该保护膜用以反射部分激光能量。

4.如权利要求1所述的有机电激发光元件的制造方法，还包括：

在该图案该多晶硅层的步骤后，形成栅极介电层，以覆盖该图案化多晶硅层。

5.如权利要求1所述的有机电激发光元件的制造方法，其中位于该第一元件区域内的第一图案化多晶硅层为第一有源层，位于该第二元件区域内的第二图案化多晶硅层为第二有源层。

6.如权利要求1所述的有机电激发光元件的制造方法，其中该第一元件区域内形成开关薄膜晶体管元件，而该第二元件区域内形成驱动薄膜晶体管元件。

7.如权利要求6所述的在机电激发光元件的制造方法，还包括：有机发光二极管，其中该有机发光二极管与该驱动薄膜晶体管元件形成电连接。

8.如权利要求1所述的有机电激发光元件的制造方法，其中在准分子激光退火工艺之后移除该保护膜。

9.如权利要求1所述的有机电激发光元件的制造方法，其中在该非晶硅层形成于该基板上方的步骤后立即将该非晶硅层图案而先形成第一、第二图案化非晶硅层于该第一、第二元件区域上方。

10.如权利要求9所述的有机电激发光元件的制造方法，其中该保护膜包括以硅为基材的材料。

11.如权利要求9所述的有机电激发光元件的制造方法，其中在该准分子激光退火工艺中，该保护膜可以反射部分激光能量。

12.如权利要求9所述的有机电激发光元件的制造方法，还包括：

在该准分子激光退火工艺之后，形成栅极介电层，覆盖该未被保护膜覆盖的多晶硅层、基板与该保护膜。

13.如权利要求9所述的有机电激发光元件的制造方法，其中该第一、第二图案化多晶硅层分别为位于该第一元件区域内的第一有源层与位于该第二元件区域内的第二有源层。

14.如权利要求9所述的有机电激发光元件的制造方法，其中该第一元件区域内形成开关薄膜晶体管元件，而该第二元件区域内形成驱动薄膜晶体管元件。

15.如权利要求14所述的有机电激发光元件的制造方法，还包括：

有机发光二极管，其中该有机发光二极管与该驱动薄膜晶体管元件形成电连接。

16.一种有机电激发光元件的制造方法，包括：

提供基板，该基板包括含有多个像素的像素区域，其中每一像素内包括第一元件区域与第二元件区域；

形成图案化保护膜于该第二元件区域上方；

形成非晶硅层于该基板与该图案化保护膜上方；

对该非晶硅层进行准分子激光退火工艺以将该非晶硅层转化为多晶硅层；以及

图案该多晶硅层，以在该第一元件区域形成第一图案化多晶硅层，及在该第二元件区域形成第二图案化多晶硅层，其中该第一图案化多晶硅层的晶粒尺寸大于该第二图案化多晶硅层，藉此形成有机电激发光元件。

17.如权利要求16所述的有机电激发光元件的制造方法，其中该图案化保护膜包括金属材料。

18.如权利要求16所述的有机电激发光元件的制造方法，其中在该准分子激光退火工艺中，该图案化保护膜有较高的热传系数。