[发明专利]半导体封装件制法与半导体元件定位结构及方法无效
申请号: | 200610138926.2 | 申请日: | 2006-09-21 |
公开(公告)号: | CN101150076A | 公开(公告)日: | 2008-03-26 |
发明(设计)人: | 曾文聪;蔡和易;黄建屏;萧承旭;张志伟 | 申请(专利权)人: | 矽品精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/58;H01L23/13;H01L23/488;H01L23/31 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 制法 元件 定位 结构 方法 | ||
1.一种半导体封装件制法,其包括:
提供基板及承载件,该基板的长宽尺寸接近于半导体封装件的预定长宽尺寸,且基板上设置有至少一个芯片,同时该承载件上具有开口,该开口的长宽尺寸大于该基板的长宽尺寸,且对应该承载板开口周缘设有至少一个贮存孔;
将该基板容置于该承载件的开口中,同时在该贮存孔中进行点胶作业,以使胶料填入该贮存孔,再通过毛细现象使该胶料充填于该基板与该承载件间的间隙;
进行模压制造方法,以在开口上形成用以包覆该芯片的封装胶体,其中,该封装胶体所覆盖面积的长宽尺寸大于该开口的长宽尺寸;
进行脱模步骤;以及
依照该半导体封装件的预定长宽尺寸而沿该基板的约略边缘位置进行切割,以制得半导体封装件。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件制法,其中,该制法还包括在脱模步骤后在该基板上未设置芯片的表面植接焊球。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件制法,其中,用于形成该封装胶体的空腔的投影长宽尺寸大于该开口的长宽尺寸。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件制法,其中,该承载件底面贴置至少一个封盖该开口的胶带,且该胶带可在脱模程序后去除。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件制法,其中,该间隙为0.05mm至0.2mm,优选为0.1mm。
6.如申请专利范围第根据权利要求1所述的半导体封装件制法,其中,该承载件的材料系为为玻璃纤维板(FR4、FR5)、双顺丁烯二酸酰亚胺/三氮阱(BT)所组成的有机绝缘材料组群的者之一或金属。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件制法,其中,该芯片以倒装芯片及焊线的其中之一方式电性连接至该基板。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件制法,其中,该承载板开孔的至少一个角隅设有至少一个贮存孔。
9.根据权利要求1所述的半导体封装件制法,其中,该承载板开孔周缘至少一边设有至少一个贮存孔。
10.一种半导体元件定位方法,其包括:
提供半导体元件及承载件,该承载件上具有开口,该开口的长宽尺寸大于该半导体元件的长宽尺寸,且对应该承载板开口周缘设有至少一个贮存孔;以及
将该半导体元件置于该承载件的开口中,同时在该贮存孔中进行点胶作业,以使胶料填入该贮存孔,再通过毛细现象使该胶料充填于该半导体元件与该承载件间的间隙,以将该半导体元件定位于该承载件中。
11.根据权利要求10所述的半导体元件定位方法,其中,该间隙为0.05mm至0.2mm,优选为0.1mm。
12.根据权利要求10所述的半导体元件定位方法,其中,该承载板开孔的至少一个角隅设有至少一个贮存孔。
13.根据权利要求10所述的半导体元件定位方法,其中,该承载板开孔周缘至少一边设有至少一个贮存孔。
14.一种定位半导体元件的承载件结构,其包括:
承载件,该承载件具有开口,以供容置半导体元件;以及
至少一个贮存孔,其设于该承载板开口周缘,以供胶料填入该贮存孔,再通过毛细现象使该胶料充填于该半导体元件与该承载件间的间隙,以将该半导体元件定位于该承载件中。
15.根据权利要求14所述的定位半导体元件的承载件结构,其中,该间隙为0.05mm至0.2mm,优选为0.1mm。
16.根据权利要求14所述的定位半导体元件的承载件结构,其中,该承载板开孔的至少一个角隅设有至少一个贮存孔。
17.根据权利要求14所述的定位半导体元件的承载件结构,其中,该承载板开孔周缘至少一边设有至少一个贮存孔。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽品精密工业股份有限公司,未经矽品精密工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610138926.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于GAA的通用密钥决定机制
- 下一篇:发光二极管芯片及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造