[发明专利]一种薄膜晶体管在彩膜之上的液晶显示器件及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管在彩膜之上的液晶显示器件，其特征在于，包括：

一下基板；

一黑矩阵，形成在所述下基板之上，其开口部分对应为像素区域；

一彩色滤光层，形成在所述黑矩阵的开口处，对应于所述像素区域；

一过敷保护膜，形成在所述彩色滤光层和黑矩阵之上；

一栅线及与其连接的栅电极，形成在所述过敷保护膜之上；

一栅电极绝缘层，形成在所述栅线和栅电极之上；

一本征半导体层和掺杂半导体层，形成在所述栅电极绝缘层之上；

一薄膜晶体管沟道，形成在本征半导体层上，其上没有掺杂半导体层；

一数据线及与其相连接的源电极和对应的漏电极，形成在所述掺杂半导体层之上；

一钝化保护膜，形成在所述数据线、源电极、漏电极的部分区域、薄膜晶体管沟道、栅电极绝缘层和像素区域以外的其它部分之上；

一像素电极，形成在所述像素区域的过敷保护膜之上，与所述漏电极的部分区域形成接触；

一上基板；

一公共电极，形成在所述上基板上；

一液晶分子层，形成在所述上基板和下基板之间。

2.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于：所述黑矩阵部分对应于所述栅线、数据线、源电极、漏电极和薄膜晶体管沟道部分，所述黑矩阵的面积超出所述栅线、数据线和薄膜晶体管的面积。

3.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于：所述黑矩阵和彩色滤光层边缘部分重叠，重叠部分彩色滤光层在黑矩阵之上。

4.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于：所述黑矩阵厚度在0.5-1.5微米之间。

5.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于：所述彩色滤光层厚度在1.5-2.5微米之间。

6.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于：所述过敷保护膜为苯并环丁烯、丙烯酸树脂胶、聚酰亚胺、旋转涂布玻璃、或溶胶-凝胶多孔氧化硅。

7.根据权利要求1或6所述的液晶显示器件，其特征在于：所述过敷保护膜厚度为1-5微米。

8.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于：所述栅线及其栅电极在过敷保护膜之上，完全位于黑矩阵的图案之内。

9.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于：所述栅电极绝缘层图案与黑矩阵完全一致，黑矩阵边缘超出栅电极绝缘层。

10.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于：所述数据线、源电极以及漏电极和掺杂半导体层的图案完全一致，与本征半导体层在除薄膜晶体管沟道部分外的其他部分一致。

11.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于：所述钝化保护膜与栅电极绝缘层基本一致，只在漏电极的部分区域没有钝化保护膜，露出漏电极的一部分。

12.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于：所述像素区域没有栅电极绝缘层和钝化保护膜，像素电极直接形成在过敷保护膜之上。

13.根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于：所述像素电极区域大于所对应的彩色滤光层，和黑矩阵在边缘部分重叠。

14.一种薄膜晶体管在彩膜之上的液晶显示器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一下基板；

在所述下基板之上形成一个有开口的黑矩阵；

在所述黑矩阵的开口处形成彩色滤光层；

在所述黑矩阵和彩色滤光层之上形成一层过敷保护膜；

在所述过敷保护膜之上形成一组栅线和栅电极；

在所述栅线和栅电极之上形成栅电极绝缘层、本征和掺杂半导体层、数据线、源电极、漏电极和薄膜晶体管沟道；

在所述栅线、数据线、源电极、漏电极和薄膜晶体管沟道之上形成一层钝化保护膜；

在所述过敷保护膜之上形成像素电极。

15.根据权利要求14所述的制造方法，其特征在于：所述形成黑矩阵和彩色滤光层使用的是相同的光刻设备和光刻工艺。

16.根据权利要求14所述的制造方法，其特征在于：所述形成过敷保护膜使用的是旋转涂布方法。