[发明专利]锚接金属镶嵌结构

权利要求书

1、一种锚接金属镶嵌结构，包覆于一多重密度介电层中，其特征在于：至少包含：

一介电层，具有一开口贯穿该介电层；

其中该介电层包含至少二介电层的相对较高密度部分及一介电层的相对较低密度部分，该介电层的相对较低密度部分位于该些介电层的相对较高密度部分之间，该介电层的相对较低密度部分形成该介电层的一主要连续部分；以及

其中，该开口位于该介电层的相对较低密度部分具有比该介电层的相对较高密度部分相对扩大的一横向尺寸以形成锚接阶梯结构。

2、根据权利要求1所述的锚接金属镶嵌结构，其特征在于其更包含位于该介电层之下的一导电区域，其中该开口包含一双重金属镶嵌开口，与位于下方的该导电区域封闭式沟通。

3、根据权利要求1所述的锚接金属镶嵌结构，其特征在于其中所述的双重金属镶嵌开口包含一介层窗部分及位于该介层窗部分上方的一沟渠部分，其中该沟渠部分的宽度等于或小于0.1微米，且该介层窗部分的尺寸小于0.007平方微米。

4、根据权利要求1所述的锚接金属镶嵌结构，其特征在于其更包含位于该介电层之下的一导电区域，其中该开口包含一单一金属镶嵌开口，与位于下方的该导电区域封闭式沟通。

5、根据权利要求1所述的锚接金属镶嵌结构，其特征在于其更包含位于该介电层之下的一元件接触区域，其中该开口包含一接触窗开口，与位于下方的该元件接触区域封闭式沟通。

6、根据权利要求1所述的锚接金属镶嵌结构，其特征在于其中所述的介电层的相对较高密度部分包含一介电层的最底部分，且该介电层的最底部分的厚度小于500埃。

7、根据权利要求1所述的锚接金属镶嵌结构，其特征在于其中所述的介电层的相对较高密度部分包含一介电层的最高部分，且该介电层的最高部分的厚度小于1000埃。

8、根据权利要求1所述的锚接金属镶嵌结构，其特征在于其中所述的相对扩大的横向尺寸介于20～150埃。

9、根据权利要求1所述的锚接金属镶嵌结构，其特征在于其中所述的介电层的相对较高密度部分具有一介电常数介于2.5～5.0，且该介电层的相对较低密度部分具有一介电常数等于或小于2.7。

10、根据权利要求1所述的锚接金属镶嵌结构，其特征在于其中所述的介电层的相对较低密度部分的多孔性百分比至少为5％。

11、根据权利要求1所述的锚接金属镶嵌结构，其特征在于其中所述的介电层的相对较低密度部分具有的多孔性百分比为大于20％。

12、根据权利要求1所述的锚接金属镶嵌结构，其特征在于其中所述的介电层的相对较低密度部分在以碳氟化合物进行等离子蚀刻制程时比该介电层的相对较高密度部分具有一相对较高的蚀刻速率。

13、根据权利要求1所述的锚接金属镶嵌结构，其特征在于其中所述的介电层的相对较高密度部分包含的原子种类是选自于由碳、氮及氧所组成的群组。

14、根据权利要求1所述的锚接金属镶嵌结构，其特征在于其中所述的介电层的相对较低密度部分包含一介电层材料，是选自于由掺杂氧化硅及有机硅酸盐类所组成的群组。

15、根据权利要求1所述的锚接金属镶嵌结构，其特征在于其更包含该开口具有一阻障层衬垫，其中该阻障层衬垫的材料包含一耐火金属，其具有一高于1200℃的熔融温度。